Читать реферат по технологии машиностроения: "Конструирование микросхемы, разработка топологии" Страница 1


назад (Назад)скачать (Cкачать работу)

Функция "чтения" служит для ознакомления с работой. Разметка, таблицы и картинки документа могут отображаться неверно или не в полном объёме!

I. Анализ электрической схемы Расчёт мощностей рассеяния Pi

Для упрощения расчётов Pi резисторов R4, R5, R8, R9, R10, R12 и R19 преобразуем выделенную часть схемы рис.1 (только те ветви, на которых находятся вышеуказанные резисторы) в эквивалентную (рис.2). Рассчитываем токи в контурах эквивалентной схемы рис.2 методом контурных токов.

330I111-147I222-33I444=0-1470I111+1517I222-47I333=0-47I222+67I333-10I444=0-3300I111-100I333+3400I444=5

I111(R4+R19+R8+R12)-I222(R19+R12)-I444R4=0 I222(R19+R12+R10)-I111(R19+R12)-I333R10=0 I333(R10+R5+R9)-I222R10-I444R5=0 I444(R4+R5)-I111R4-I333R5=E

= 111059850000 – 49237209000 – 11055924000 = 50766717000

= 345450 + 16405950 = 16751400 ;I111 == 0,000329968 A

= 775500 + 16250850 = 17026350 ;

I222 = = 0,000335384 A

= 25030500 – 10804500 + 11399850 = 25625850 ;

I333 = = 0,00050478 A

= 164059500 – 72390150 = 91669350 ;I444 = = 0,0018057 A

Зная контурные токи, мы можем рассчитать:I4 = I444 – I111 = 0,0018057 - 0,000329968 = 0,001475732 A

I5 = I444 – I333 = 0,0018057 - 0,00050478 = 0,00130092 A

I8 = I111 = 0,000329968 A I9 = I333 = 0,00050478 A I10 = I333 – I222 = 0,00050478 - 0,000335384 = 0,000169396 A I12 = I19 = I222 – I111 = 0,000335384 - 0,000329968 = 0,000005416 A

Теперь рассчитываем токи на остальных резисторах:

Для расчёта тока на резисторах R11, R13 и R14 представим конденсатор на 9-ом выводе как резистор с самым большим сопротивлением, которое только имеем на схеме УПЧ и схеме его включения (Rдобавочное=22000+22000=44000 Om см. паспорт МС), т.е.:

Для более точного подсчёта I15 – I18 подробнее рассмотрим транзистор V1:

где  - коэффициент передачи тока (КТ317А 70)

II. Разработка маршрутного технологического процесса изготовления микросхемы.

Наиболее простым способом формирования рисунка микросхемы является напыление элементов через свободные маски. Если при этом зазор между маской и подложкой отсутствует, линейные размеры элементов строго соответствуют размерам щелей в маске (метод контактной маски). Наличие зазора между подложкой и маской, устранить который полностью невозможно, приводит к образованию «зоны размытости» рисунка. Причём размер этой зоны, как показывает практика, увеличивается с ростом толщины маски и клинообразности профиля её вырезов. С уменьшением же толщины снижается жёсткость маски и увеличивается её «провисание» над подложкой, что, в свою очередь, также приводит к росту зоны размытости.

Напыление резистивных и проводниковых плёнок выполняется в одной вакуумной камере в непрерывном процессе. Для сублимации применяют резистивный испаритель, покрытый гальваническим слоем сублимируемого вещества либо стержень из спрессованного и спёченного порошка сублимируемого вещества, а вещества, плохо взаимодействующие с тугоплавкими материалами испаряют из жидкого состояния. Напыления ведут на подогретые подложки, температуру которых регулируют изменением тока нагревателя. При достижении требуемой температуры подложек испаритель подводят на позицию испарения и подают на него напряжение. При нагреве испарителя вакуум в камере ухудшается, так как с поверхности испарителя происходит выделение газов. После окончания газовыделения и восстановления вакуума открывают заслонку и напыляют пленку сублимируемого вещества. При достижении требуемой толщины плёнки заслонку закрывают, на позицию переводят следующую подложку и так процесс продолжают для напыления плёнки на все подложки.

НанесениеНанесение проводников

резистивного слояи контактных



Интересная статья: Основы написания курсовой работы