Читать реферат по антикризисному менеджменту: "Химическое жидкосное травление" Страница 2

(Назад) (Cкачать работу)

динамических параметров, как мощность разряда, давление и скорость эрозии резиста. Величина бокового подтравливания в случае жидкостного травления зависит от предшествующих стадий обработки - подготовки поверхности и термозадубливания. Рис. 2. Анизотропное (слева) и изотропное (справа)травление. R-резист, S-полложка. Используя жидкостное травление или недавно разработанный и боле предпочтительный метод плазменного сухого травления, можно формировать различные профили в пленках. Жидкие травители дают изотропные или скошенные профили . Скошенный профиль края лучше подходит для последующего нанесения полости металла поперек такой ступеньки.Ширина линии в скомпенсированной маске М, мкм Рис. 3. Связь компенсации (уменьшение размеров окон в маске),необходимый при изотропном и анизотропном (D/L>2) травлении. Для компенсации подтрава при изотропном жидкостном травлении размеры элемента на фотошаблоне следует уменьшать. На рис. 3показана компенсация размера окон в шаблоне для разных степеней анизотропии травления. Для обычного изотропного травления D/L равно 1 (без разрушения резиста и при хорошей адгезии). Для того чтобы ширина полосы была равна wе, размер перенесенного в резист изображения wr должен быть меньше на удвоенную величину бокового подтрава (L):wr=wе-2L.(1) Рис. 4. Сравнение жидкостного (W) и плазменного (Р) травления.В обоих случаях травление производится через маску Si3N4 толщиной 0.25 мкм. для получения 1-мкм линии при умеренно анизотропном травлении (D/L=3) изображение в резисте следует делать на 0.2 мкм меньше 1 мкм, а ширина элемента на шаблоне (М) должна быть увеличена примерно на 0.05-0.1 мкм для компенсации ухода размера при формировании резистной маски. Если же D/L=10, то полоса шириной 1 мкм может быть подтравлена через резистное окно шириной 0.7 мкм. разница в характеристиках компенсации размера изображения в резисте для сухого и жидкостного травления Si3N4 ясно видна на рис. 4. Термодинамика травления. С точки зрения химии процесс травления можно представить схемойтвердая фаза+травитель®продукты; при этом к твердой фазе относят кремний, его оксиды и нитриды и многие металлы. Для межсоединений внутри кристалла обычно применяют Al и его сплавы с Si и Cu, причем основным материалом для первого уровня металлизации является Al (табл. 1). Слои оксидов кремния можно выращивать термически, наносить химическим способом или распылением, можно также легировать их фосфором или бором. Металлы используются в виде чистых или пассивированных пленок, сплавов, многослойных структур и интерметаллидов. Поскольку кремний существует в виде монокристаллических или поликристаллических пленок, его структура, как и структура других кристаллических материалов, имеет и ближний и дальний порядок. Поскольку травление переводит упорядоченные структуры в неупорядоченные, термодинамические соображения о поведении свободной энергии DF системы должны учитывать изменения как энтропии +DS, так и энтальпии DН (теплоты растворения или испарения)DF=DН-ТDS.(2) Например, реакция травления аморфного оксида кремния является эндотермической, DН=+11 ккал/моль:SiO2(тв.)+6HF(ж.)®Н2SiF6+2H2O.(3) Таблица 1. Материалы полупроводниковой электроники.

Проводники

Ag,Al, Au,