- 1
- 2
- 3
- . . .
- последняя »
МАГНИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
ВВЕДЕНИЕ С прогрессом электронной техники предъявляются новые требования к магнитным материалам. Это обусловлено и миниатюризацией устройств, и необходимостью разработки запоминающих и логических элементов большой емкости и быстродействия при малом весе. Необходимы магнитные материалы, прозрачные в оптическом и ИК-диапазоне, обладающие большой коэрцитивной силой, намагниченностью насыщения, сочетающие в себе магнитные и полупроводниковые свойства. Многие такие материалы можно создать на основе редкоземельных материалов МАГНИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ УСТРОЙСТВ НА ЦМД Для генерирования цилиндрических магнитных доменов используются тонкие магнитные пленки феррит-гранатов R3Fe5O12 и ортоферритов RFeO3. Первые содержат домены с размерами до 1 мкм, что позволяет получить плотность размещения информации до 107 бит/cм2, вторые обладают рекордно высокими скоростями
передвижения до 104 м/с
Идея записи на ЦМД состоит в том, что двоичное число можно представить цепочкой ЦМД, где логическая "1" - наличие ЦМД, "О" - отсутствие. Осуществление логических операций с помощью ЦМД-устройств основывается на возможности движения ЦМД в пленке в двух, трех и т.д. направлениях
В технике обычно используются монокристаллические пленки, выращиваемые на немагнитной подложке, кристаллическую структуру и постоянную решетки подложки подбирают в соответствии с требуемой структурой получаемой пленки
В последнее время начали использовать аморфные магнитные пленки сплавов переходных металлов с РЗ металлами типа Gd-Go и Gd-Fe, в которых возможно получение ЦМД с диаметром < 1 мкм, что позволяет повысить плотность записи информации до 109 бит/см2. Их отличают также простота изготовления, относительно низкая стоимость. Недостатком таких пленок является их низкая термостабильность
Все материалы-носители ЦМД характеризуются большой одноосной магнитной анизотропией. Чем больше поле анизотропии, тем ближе направление намагниченности ЦМД к нормали плоскости пластины и тем меньше отклонение формы стенок ЦМД от цилиндрической., Для одноосных кристаллов напряженность поля анизотропии, необходимая для зарождения изолированного домена, оценивается по формулегде К , — константа одноосной анизотропии, составляющая в среднем для ЦМД-материалов 10 3 —10 4 Дж/м 3 ; l s - намагниченность насыщения, равная при комнатных температурах в среднем 10 4 А/м
В ЦМД-материалах H а =10 5 -М0 7 А/м. В ряде ЦМД-материалов наблюдаются небольшие отклонения от одноосности, обусловленные орторомбической и кубической симметрией вещества
Отношение поля анизотропии к намагниченности насыщения определяет фактор качества магнитоодноосного кристалла:Фактор качества — количественная оценка жесткости ориентации магнитного момента домена в направлении нормали к плоскости пластины — должен быть существенно больше единицы. На практике требуется иметь значения q не менее 3—5. Верхний предел ограничен требуемым быстродействием устройств (см. ниже)
Для оценки свойств материалов, содержащих ЦМД, введено понятие характеристической длины 1 0где —удельная энергия доменной границы, Дж/м 2 ; A '— A /а — обменная константа, примерно равная для ЦМД-материалов 10~ 10 — 10- 11 Дж/м
- 1
- 2
- 3
- . . .
- последняя »
Похожие работы
Тема: Магнитные материалы для микроэлектроники |
Предмет/Тип: Физика (Реферат) |
Тема: Магнитные материалы для микроэлектроники |
Предмет/Тип: Физика (Реферат) |
Тема: Основные материалы микроэлектроники, применяемые в процессе ее развития |
Предмет/Тип: Информатика, ВТ, телекоммуникации (Реферат) |
Тема: Основные материалы микроэлектроники, применяемые в процессе ее развития |
Предмет/Тип: Информатика, ВТ, телекоммуникации (Реферат) |
Тема: Получение сверхчистых материалов для микроэлектроники |
Предмет/Тип: История техники (Курсовая работа (т)) |
Интересная статья: Быстрое написание курсовой работы