Читать реферат по физике: "МАГНИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ" Страница 2


назад (Назад)скачать (Cкачать работу)

Функция "чтения" служит для ознакомления с работой. Разметка, таблицы и картинки документа могут отображаться неверно или не в полном объёме!

Характеристическая длина l о имеет размерность длины и связа­на с толщиной h пластины и диаметром D домена. С точки зрения увеличения плотности размещения информации желательно, чтобы диаметр домена был как можно меньше. Минимально достижимый диаметр домена при заданном материале Amin =3,9* lo имеет место для пластин (пленок) толщиной A = 3,3 l о. В технических устройст­вах, где используют ЦМД, рекомендуется выбирать h ~4* l 0 , так как при этом способность доменов восстанавливаться после флуктуации наиболее сильно выражена. При h = 4* l 0 поле, соответствующее се­редине области устойчивых цилиндрических доменов, H =0,28 l 3> а диаметр доменов в этом поле D —8 l 0

Уменьшение размера ЦМД достигается применением материа­лов с малым l о. Из следует, что увеличение намагниченност и материала способствует этому в большей степени, чем снижение А .

Действительно, снижение фактора качества q ухудшае т условия статической устойчивости ЦМД. Уменьшение обменной константы А' нецелесообразно, поскольку при этом с н и ж ается температурная устойчивость ЦМД. Минимальный размер домена, полученный в настоящее время в аморфных и гексагональных ферромагнетиках, составляет около 0,08 мкм. Температурный диапазон устойчивости ЦМД-структур достаточно широк (—50 + 60° С). Точка Нееля большинства современных ЦМД-материалов лежит в пределах 560—720 К

Важной характеристикой материалов для ЦМД-устройств яв­ляется коэрцитивная сила Н с , во многом определяющая подвиж­ность доменов. Чем меньше Н е , тем выше быстродействие ЦМД-устройства. Скорость перемещения домена также зависит от подвижно­сти доменной границы u rp . и г р об­ратно пропорциональна фактору качества q . Поэтому материалы, обладающие большими значениями q , не отвечают требованиям вы­сокого быстродействия ЦМД-устройств

ЦМД могут быть получены во многих магнитных материалах, обладающих сильной одноосной анизотропией

Ортоферриты RFeO 3 — первые материалы, на которых были изу­чены ЦМД. В настоящее время эти материалы в промышленных ЦМД-устройствах практически не применяются, поскольку диаметр ЦМД ортоферритов порядка 80—100 мкм не позволяет обеспечить высокую плотность записи информации. Однако в ряде случаев ор-тоферриты, обладающие высокими магнитооптическими параметра­ми, сохранили свои позиции. Их применяют в виде пластинок, выре­занных определенным образом из монокристалла и доведенных по­средством механической полировки до нужной толщины

Монокристаллы ортоферритов получают обычными способами (см. § 2.20). Одним из наиболее перспективных считают выращи­вание монокристаллов из расплава с применением бестигельной зонной плавки и радиационного нагрева. Этот метод включает из­готовление исходных для выращивания монокристаллов поликри­сталлических заготовок в виде цилиндрических стержней методами керамической технологии. Процесс кристаллизации осуществляется следующим образом. Из предварительно полученного любым мето­дом монокристалла вырезают вдоль определенного кристаллогра­фического направления затравку, которую закрепляют на керами­ческом или сапфировом держателе. По оси затравки с высокой точ­ностью устанавливают исходный поликристаллический стержень. Камера герметизируется, продувается и подключается к системе давления кислорода. Затравку и



Интересная статья: Основы написания курсовой работы