Читать курсовая по информатике, вычислительной технике, телекоммуникациям: "Проектирование системы управления модулятором добротности лазера с импульсной модуляцией добротности" Страница 4
(Назад)
(Cкачать работу)сопротивлений Rб при заданной степени насыщения транзисторов приводит к уменьшению величины коллекторных сопротивлений Rк, следовательно, к повышению потребляемой мультивибратором мощности.
Схема мультивибратора имеет свойства автоколебательной системы с жестким режимом возникновения колебаний. Это означает, что в схеме возможно статической равновесное состояние, при котором оба транзистора находятся в насыщении, и для перевода системы в режим релаксационных колебаний необходим внешний пусковой импульс.
Существенным недостатком схемы мультивибратора является большая длительность отрицательных фронтов коллекторного напряжения, в связи с протеканием через коллекторные сопротивления зарядных токов. §7. Расчёт второго транзисторного ключа
Рис. 7.1.
Для запирания транзистора VT1 в контуре ударного возбуждения, необходимо подать отрицательный импульс на базу этого транзистора. Так как запускающим устройством является второй ждущий мультивибратор, а запускающее напряжение снимается с коллектора второго трвнзистора, то необходимо предусмотреть инвертор фазы на 180 гр.
Это можно осуществить через ключ.
Определение параметров ключа.
Условие запирания транзистора VT1 в исходном режиме определяется.
Обычно напряжение запирания выбирают в пределах: .
Ключ должен быть разомкнут при низком уровне управляющего напряжения, т.е прии замкнут при высоком . Выберем транзистор КТ315А
| Характеристики транзистора КТ604А | ||||||
| Допустимый ток коллектора Максимальный ток коллектора Сопротивление эмиттера Сопротивление базы | ||||||
| 10 | 40 | 30 | 0,02 | 0,2 | 0 | 18 |
Так как , то, следовательно, .
Выберем .
Для надёжного запирания транзистора принимаем .
Тогда
где сопротивлениерассчитывается по формуле
.
Рассчитаем сопротивлениепо формуле
.
Откуда получаем, что сопротивлениепринимает следующее значение .
Выбираем .
.
Выбираем .
После тестирования схемы и подгонки номинальных значений элементов получены следующие значения элементов:
, , .
модулятор добротность лазер импульсный
§8. Список литературы1. «Расчёт элементов импульсных и цифровых схем радиотехнических устройств» под ред. Казаринова Ю.М. - М.: Высшая школа, 1976 год.
2. «Полупроводниковые приборы» Галкин В.И., Булычёв А.Л., Прохоренко В.А. - Беларусь, 1979 год.
. «Полупроводниковая схемотехника» Титце У., Шенк К. - М.: Мир, 1983 год.
. Под ред. Горюнова Н.Н. Справочник. Полупроводниковые приборы. Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. - М.: Энергоатомиздат, 1985 год.
. Под ред. Голомедова А.В. Справочник. Полупроводниковые приборы. - М.: Радио и связь, 1988 год.
§8. Приложение
А. Входные вольтамперные характеристики транзистора КТ315А
Б. Выходные вольтамперные характеристики транзистора КТ315А.
В. Входные вольтамперные характеристики транзистора КТ604А.
Г. Выходные вольтамперные характеристики транзистора КТ315А.
Д. Прямая ветвь ВАХ диода Д2Д212А
Е.Обратная ветвь ВАХ диода Д2Д212А
Похожие работы
Интересная статья: Быстрое написание курсовой работы