Читать курсовая по информатике, вычислительной технике, телекоммуникациям: "Проектирование системы управления модулятором добротности лазера с импульсной модуляцией добротности" Страница 3

(Назад) (Cкачать работу)

10

10

3. Величина сопротивленияопределяется из следующих условий;

.

Выберем .

При этом для обеспечения амплитуды выходного импульса коллекторный ток равен:.4. Величину сопротивлениярассчитываем так:.

Выберем .

. Сопротивлениеравно:.

Выбираем .

. Времязадающее сопротивлениедля коэффициента глубины насыщениярассчитывается, исходя из условия насыщения второго транзистора в исходном состоянии:.

Принимаем .

. Времязадающую ёмкостьопределяем для , так как :

.

Выбираем .

. Сопротивления делителейиопределяются из условия запирания первого транзистора в начальном состоянии:.

Выбираем .

.

Выбираем .

9. Уточнение величины восстановления схемы, определяется временем заряда конденсатора:.

10. Уточнение величины амплитуды напряжения:.

После тестирования и подгонки схемы методами САПР получены следующие значения элементов схемы:

, , , , , , .

§5. Расчёт первого транзисторного ключа В исходном состоянии транзистор находится в режиме отсечки под действием входного запирающего напряжения. При поступлении на вход в момент времени t=t1 перепада отпирающего напряжения эмиттерный переход транзистора смещается в прямом направлении, а базовый ток(и эммитерный) скачкообразно достигает значения. Коллекторный ток в соответствии с переходной характеристикой транзистора будет нарастать.

Эмиттерный, коллекторный, базовый токи и междуэлектродные напряжения остаются практически неизменными. В области базы происходит накопление избыточного заряда неравновесных носителей. В определенный момент времени на вход системы подается запирающее напряжение. Процесс размыкания ключа состоит из стадии рассасывания избыточного заряда неравновесных носителей и стадии закрывания транзистора. В момент окончания стадии рассасывания транзистор входит в активную область и начинается процесс его закрывания.

Произведем расчет схемы ключа с резистивно-емкостной связью. Ключ нагружен на сопротивление R и емкость C. Управление ключом осуществляется отрицательными импульсами от источника с выходным сопротивлением R. В результате расчета должны быть определены величины элементов связи R,R,С, Eб, а также время отключения и выключения ключа.

Параметры цепи связи нужно выбрать так, чтобы удовлетворялись условия работоспособности ключва. Ключ должен быть разомкнут при низком уровне управляющего напряжения и замкнут при высоком.

Рис. 5.1. §6. Расчет автоколебательного мультивибратора

Рис. 6.1. Мультивибраторы с коллекторно-базовыми связями широко применяются в импульсных устройствах как генераторы импульсов почти прямоугольной формы.

Полный цикл автоколебательного процесса в мультивибраторе состоит из двух полупериодов колебаний. В симметричном мультивибраторе длительности полупериодов одинаковы. Длительность каждого полупериода определяется временем разряда конденсатора, включенного в цепь базы закрытого транзистора. Разряда конденсатора осуществляется через открытый транзистор, режим которого выбирают со степенью насыщения s=1.2-2.При таком режиме обеспечивается хорошая форму и стабильность амплитуды импульсов и не наблюдается срыва колебаний.

Уменьшение величины

Похожие работы