Читать контрольная по технологии машиностроения: "по Материаловедению. Технология конструкционных материалов" Страница 1

назад (Назад)скачать (Cкачать работу)

Функция "чтения" служит для ознакомления с работой. Разметка, таблицы и картинки документа могут отображаться неверно или не в полном объёме!

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО РЫБОЛОВСТВУ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

«МУРМАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»

Вечерне-заочный факультет

Кафедра технологии металлов и судоремонтаКОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА №1

по дисциплине

“ Материаловедение. Технология конструкционных материалов.”

Выполнил:

Студент 1 курса ВЗФ

специальности: «Эксплуатация судовых энергетических установок »

Ф.И.О. Блинник Михаил Николаевич

Шифр: Мзу - 10318

Проверил:

МУРМАНСК

2011

    Что такое дислокация? Виды дислокации и их влияния на механические свойства металлов. Как связано число твердости НВ с временным сопротивлением? Что больше – KCU,KCV или KCT одного и того же материала, почему?

Наиболее распространенными и очень важными с точки зрения формирования прочностных свойств металлов являются дефекты, имеющие протяженность только в одном направлении, или линейные дефекты. Их принято называть дислокациями. Образуются дислокации в результате локальных или местных смещений кристаллографических плоскостей, происходящих в кристаллической решетке зерен на различных технологических этапах их формирования. Наиболее распространенной и характерной разновидностью дислокации является краевая дислокация (рис. 1). Рис. 1 Схема краевой дислокации в кристаллической решетке.

Краевая дислокация представляет собой локализованное искажение атомной плоскости за счет введения в нее дополнительной атомной полуплоскости – экстра плоскости, расположенной перпендикулярно плоскости чертежа. Условно подразделяют краевые дислокации на положительные и отрицательные. Положительная дислокация соответствует случаю, когда сверху есть лишняя атомная полуплоскость. Соответственно в верхней половине кристалла действуют сжимающие напряжения, в нижней растягивающие. Отрицательная дислокация соответствует случаю, когда верхняя половина кристалла растянута, нижняя сжата. Тут же на рисунке показаны значки, которыми изображают положительную и отрицательную дислокации.  Нетрудно видеть, что эти две дислокации различаются лишь поворотом на 180º. По этому не имеет смысла говорить о знаке дислокации, если эта дислокация одна: знак существен, если рядом есть другая дислокация. Силы упругого взаимодействия между дислокациями зависят от знака дислокации: одноименные дислокации отталкиваются, разноименные притягиваются.

Второй разновидностью линейных дефектов кристаллической решетки является винтовая дислокация (рис.2). Она формируется и перемещается при сдвиге одной части кристалла относительно другой по какой-нибудь плоскости под действием внешних сдвиговых (касательных) сил Р (перемещение дислокации АВ..A`B`, рис. 2 ). На схеме сдвиг распространился от переднего края кристалла до линии АВ, параллельной силам Р. При этом правый край кристалла сместился вниз на параметр решетки. При дальнейшем действии этих сил АВ продолжит мещение к задней стенке с кристалла—А`В`.Рис. 2 Схема винтовой дислокации

Вокруг текущих положений (рис. 2, линия А В) кристаллографические атомные плоскости-поверхности оказываются изогнутыми. Если проследить ход этих плоскостей


Интересная статья: Быстрое написание курсовой работы