Читать курсовая по химии: "Влияние примесей на физико-химические свойства селенида цинка" Страница 1

(Назад) (Cкачать работу)

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ

ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

"АЛТАЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"

Химический факультет

Кафедра физической и неорганической химии Курсовая работа

Влияние примесей на физико-химические свойства селенида цинка Выполнила студентка

Панченко Наталья Сергеевна

Научный руководитель

док. физ.-мат. наук, проф. С.А. Безносюк;

канд. физ.-мат. наук, ст. пр. Ю.В. Терентьева Барнаул 2016 Содержание Введение

1. Кристаллическое строение селенида цинка

2. Легирование селенида цинка

2.1 Влияние лития на селенид цинка

2.2 Влияние примесей третьей и седьмой групп на селенид цинка

2.2.1 Диффузия примесей

2.2.2 Влияние примесей на электрические свойства

2.3 Влияние примесей пятой группы на селенид цинка

2.4 Влияние 3d-элементов металлов на селенид цинка

2.4.1 Влияние примеси хрома на оптическое поглощение селенида цинка

2.4.2 Влияние примеси железа на фотопроводимость селенида цинка

2.4.3 Влияние примеси железа на люминесцентные свойства селенида цинка

2.4.5 Влияние примеси кобальта на оптическое поглощение селенида цинка

2.4.6 Влияние примеси никеля на оптическое поглощение селенида цинка

3. Применение селенида цинка легированного различными примесями

Заключение

Библиографический список

Проводниковые соединения элементов второй и шестой групп таблицы Менделеева уже на протяжении долгого времени занимают одно из главных мест в физике полупроводников. Они являются одними из наиболее важных и перспективных материалов для быстро развивающихся областей науки и техники.

Главное достоинство соединений этих групп состоит в том, что они обладают различными значениями ширины запрещенной зоны, которая колеблется от нулевых значений до нескольких электрон-вольт, это позволяет варьировать в широких пределах их электрические, фотоэлектрические и оптические свойства. Их спектральная область фоточувствительности, люминесценции и лазерного излучения может изменяться от инфракрасного до ультрафиолетового участка спектра. Наличие прямозонных переходов в этих соединениях позволяет получить эффективное лазерное и люминесцентное излучение, которое используется в военных, технологических и медицинских целях, а так же в области цифровой записи информации.

В последние годы в связи с быстрым развитием нанотехнологий, широкое применение получили наноразмерные структуры на основе полупроводниковых соединений AIIBVI. Применение подобных структур в оптоэлектронике позволит в большие степени улучшить качество приборов.

Но в настоящее время существуют нерешенные проблемы, которые мешают совершить значительный прорыв в области создания оптоэлектронных устройств на основе соединений AIIBVI. К ним относят проблему создания качественного p-n перехода в этих материалах, она связанна с проблемой легирования кристаллов соединений AIIBVI мелкими примесями. Например, до сих пор не решена проблема получения проводимости р-типа в полупроводниковых соединениях таких, как селенид цинка.

Другая, важная проблема связана с собственными дефектами соединений AIIBVI. В данном случае, под дефектами

Похожие работы