Читать курсовая по химии: "Влияние примесей на физико-химические свойства селенида цинка" Страница 3


назад (Назад)скачать (Cкачать работу)

Функция "чтения" служит для ознакомления с работой. Разметка, таблицы и картинки документа могут отображаться неверно или не в полном объёме!

положения эквивалентны друг другу, как эквивалентны положения, которые занимают атомы натрия и хлора в структуре NaCl. Структура сфалерит и структура алмаза характеризуется одинаковой решеткой Бравэ - гранецентрированной кубической, однако их пространственные группы различны. [1] Рис. 2. Структурный тип вюрцита ZnSe. На рисунке 2 изображена структура вюрцита, в которой атомы одного элемента располагаются в вершинах гексагональной призмы, в центрах ее базисных граней и в центрах трех тригональных призм из шести имеющихся, на которые можно мысленно разбить элементарную гексагональную ячейку. Атомы второго элемента располагаются так же трехтригональных призмах, которые заняты атомами первого элемента, и на всех вертикальных ребрах примитивных параллелепипедов. Они занимают такие положения в структуре, что оказываются на равных расстояниях от четырех ближайших атомов первого элемента. Все положения, которые занимают атомы каждого элемента, составляют одну правильную систему точек. Обе системы, занятые атомами цинка и селена, эквивалентны между собой, так же как и в случае NaCl, CsCl и др. [1]

примесь селенид цинк кристаллическая решетка

2. Легирование селенида цинка

Легирование полупроводникового материала - это контролируемое введение необходимой концентрации определенной примеси. Введение примеси оказывает влияние на большинство физических свойств соединения. В основном они влияют на электрические и оптические свойства фаз, так как именно эти свойства являются определяющими при использовании легированных полупроводниковых материалов. Электрически активные примеси в полупроводниках являются поставщиками свободных носителей и центрами рассеивания и рекомбинации. Кроме того примеси способны искажать зонную структуру полупроводника. [4]

Легирование селенида цинка может происходить различными металлами. В качестве легирующих чаще используют элементы третьей, пятой, седьмой групп, а так же примеси 3d-элементов. Примеси переходных элементов в полупроводниках обращают на себя пристальное внимание ученых. Это внимание объясняется возрастающим практическим применением полупроводников, содержащих примеси переходных элементов. С помощью них возможно получение полуизолирующих подложек, электролюминесцентных материалов и материалов для быстродействующих фотоприемников света и т.д. Примеси 3d-элементов образуют ряд соединений со сходными свойствами, что представляет интерес для проверки теоретических моделей. [5]

Далее более подробно рассмотрим влияние различных примесей на селенид цинка.

2.1 Влияние лития на селенид цинка

Наиболее приемлемой примесью для получения селенида цинка с дырочной проводимостью является литий, который образует мелкие акцепторные уровни LiZn. Однако примесь лития в большой степени подвержена компенсации путем выхода части атомов в междуузлия с образованием доноров . [6] При этом на перераспределение лития существенно влияет состав собственных дефектов полупроводника. Был проведен опыт, в котором анализируется возможность предварительной обработки селенида цинка в расплаве селена (PC) для управления составом дефектов при введении в кристалл примеси лития. [7]

В случае малой концентрации вакансий цинка, согласно [8], становится существенным френкелевское



Интересная статья: Быстрое написание курсовой работы