- 1
- 2
- 3
- . . .
- последняя »
ТЕМА 4. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 4.1 Устройство и принцип действия Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор, состоящий из трех областей с чередующимися типами электропроводности и пригодный для усиления мощности.
Выпускаемые в настоящее время биполярные транзисторы можно классифицировать по следующим признакам:
по материалу: германиевые и кремниевые; по виду проводимости областей: типа р-n-р и n-p-n; по мощности: малой (Рмах 0,3Вт), средней (Рмах 1,5Вт) и большой мощности (Рмах 1,5Вт); по частоте: низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные и СВЧ.
В биполярных транзисторах ток определяется движением носителей заряда двух типов: электронов и дырок (или основными и неосновными). Отсюда их название – биполярные.
В настоящее время изготавливаются и применяются исключительно транзисторы с плоскостными р-n- переходами.
Устройство плоскостного биполярного транзистора показано схематично на рис. 4.1. Он представляет собой пластинку германия или кремния, в которой созданы три области с различной электропроводностью. У транзистора типа n-р-n средняя область имеет дырочную, а крайние области – электронную электропроводность.
Транзисторы типа р-n-р имеют среднюю область с электронной, а крайние области с дырочной электропроводностью.
Средняя область транзистора называется базой, одна крайняя область – эмиттером, другая – коллектором. Таким образом в транзисторе имеются двар-n- перехода: эмиттерный – между эмиттером и базой и коллекторный – между базой и коллектором. Площадь эмиттерного перехода меньше площади коллекторного перехода.
Эмиттером называется область транзистора назначением которой является инжекция носителей заряда в базу. Коллектором называют область, назначением которой является экстракция носителей заряда из базы. Базой является область, в которую инжектируются эмиттером неосновные для этой области носители заряда.
Концентрация основных носителей заряда в эмиттере во много раз больше концентрации основных носителей заряда в базе, а их концентрация в коллекторе несколько меньше концентрации в эмиттере. Поэтому проводимость эмиттера на несколько порядков выше проводимости базы, а проводимость коллектора несколько меньше проводимости эмиттера.
От базы, эмиттера и коллектора сделаны выводы. В зависимости от того, какой из выводов является общим для входной и выходной цепей, различают три схемы включения транзистора: с общей базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором (ОК).
Входная, или управляющая, цепь служит для управления работой транзистора. В выходной, или управляемой, цепи получаются усиленные колебания. Источник усиливаемых колебаний включается во входную цепь, а в выходную включается нагрузка.
Рассмотрим принцип действия транзистора на примере транзистора р-n-р –типа, включенного по схеме с общей базой (рис. 4.2). Рисунок 4.2 – Принцип действия биполярного транзистора (р-n-р- типа) Внешние напряжения двух источников питания ЕЭ и Ек подключают к транзистору таким образом, чтобы обеспечивалось смещение эмиттерного перехода П1 в прямом направлении (прямое напряжение), а коллекторного перехода П2 – в обратном направлении (обратное напряжение).
Если к коллекторному переходу приложено обратное
- 1
- 2
- 3
- . . .
- последняя »
Похожие работы
Тема: Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект |
Предмет/Тип: Информатика, ВТ, телекоммуникации (Реферат) |
Тема: Биполярные транзисторы |
Предмет/Тип: Радиоэлектроника (Лекция) |
Тема: Биполярные транзисторы |
Предмет/Тип: Информатика, ВТ, телекоммуникации (Реферат) |
Тема: Биполярные транзисторы |
Предмет/Тип: Физика (Учебное пособие) |
Тема: Биполярные транзисторы |
Предмет/Тип: Информатика, ВТ, телекоммуникации (Реферат) |
Интересная статья: Быстрое написание курсовой работы