(Назад)
(Cкачать работу)температура весьма далека от совпадения со справочными данными.
Также здесь были построены линии трёхфазного равновесия, на которых наглядно видно области -p- и -n- типов электропроводности. Эти же данные были использованы в пункте 3 для определения соотношений парциальных давлений компонентов Cd и Te.
В пункте 3 были рассчитаны парциальные давления компонентов и составлен график зависимости распределения температуры в реакторе и его принципиальная схема. Также были рассчитаны температуры компонентов, которые будут использованы в пункте 4 для определения условий окисления компонента Cd.
Процесс получения соединения CdTe -p- типа электропроводности путём выращивания эпитаксиальных слоёв из газообразных компонентов возможен (с точки зрения термодинамики) при следущих условиях: TCd = 627,383 K, TTe = 906,846 K, TCdTe = 1000 K.
Для получения -p- типа электропроводности должны присутствовать вакансии в подрешётке кадмия и атомы теллура в междоузлии.
В пункте 4 мы анализировали процесс окисления компонента Cd. При указанных в задании степенях откачки реактора окисления избежать невозможно, однако это можно сделать, если повысить температуру реактора со стороны кадмия и откачать воздух до максимального уровня вакуума.
Похожие работы
Интересная статья: Основы написания курсовой работы