Читать реферат по информатике, вычислительной технике, телекоммуникациям: "Средства измерений оптических, энергетических и спектральных параметров полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур" Страница 1

(Назад) (Cкачать работу)

Определения, обозначения и сокращения

- лазер с вертикальным резонатором;

ГПЭ - государственный первичный эталон;

ИК - инфракрасный;

УФ - ультрафиолетовый;

ОЭИП - оптико-электрический измерительный преобразователь;

СИ - средство измерений;

ИФП - интерферометр Фабри-Перо;

ПИП - первичный измерительный преобразователь;

ЭОП - электронно-оптический преобразователь;

ЭИП - электрический измерительный преобразователь;

ИС - интегрирующая сфера. Введение Интенсивное развитие лазерных технологий привело к качественному прорыву в области полупроводниковых лазеров. Работы по физике двойных гетероструктур послужили мощным толчком для создания полупроводниковых лазеров на наногетероструктурах, а именно: на квантовых ямах и квантовых точках. С другой стороны эти достижения были бы невозможны без развития нанотехнологий образования таких структур.

В настоящее время в России метрологическое обеспечение измерений параметров полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур развито недостаточно. Отечественным производителям таких типов лазеров для измерений их параметров часто приходится использовать средства измерений зарубежных фирм. Поэтому проблема обеспечения единства измерений полупроводниковых лазеров и создание единой измерительной системы параметров лазерного излучения остается весьма актуальной. Также нужно отметить, что рынок полупроводниковых лазеров очень велик и составляет порядка 90% от всего рынка лазеров.

Целью работы является исследование методов и средств измерений оптических, энергетических и спектральных параметров полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур в интересах повышения их энергоэффективности.

Также можно отметить, несколько особенностей полупроводниковых лазеров, которые отличают их от других типов лазеров на основе наногетероструктур:

Компактность. Это дает возможность легко приспосабливать полупроводниковые лазеры в различных более сложных конструкциях.

Высокая эффективность (КПД), достигающая 50 %. Что позволяет создавать лазеры с малым потреблением электрической энергии в сравнении с другими типами лазеров.

Небольшие световые потери в активной области. Что позволяет функционировать при комнатных и более высоких температурах.

Но при всех достоинствах полупроводниковых лазеров у них имеется один существенный недостаток - большая расходимость светового пучка лазерного диода, которая заметна даже на небольших расстояниях. В связи с этим необходимо разрабатывать метрологическое обеспечение полупроводниковых лазеров для контроля параметров расходимости.

В рамках данной выпускной квалификационной работы была создана единая измерительная система, которая объединила в себе 3 различных средства измерений оптических, энергетических и спектральных параметров полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур и позволила измерять все необходимые характеристики одновременно.

Экспериментальные исследования производились на установке созданной во ФГУП «ВНИИОФИ» в научно-исследовательском отделении лазерной метрологии и радиометрии (Ф-2). 1. Обзор существующих методов измерений оптических, энергетических и спектральных параметров

Похожие работы