Читать реферат по радиоэлектронике: "Оборудование для ориентации полупроводниковых пластин" Страница 3
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- . . .
- последняя »
рассмотрены ещё два метода: метод изломов и метод Лауэ.Оптический метод ориентации является наиболее простым, не требует дорогостоящего, сложного оборудования. Он заключается в следующем. При травлении монокристалла вследствие неодинаковой скорости растворения полупроводникового материала по различным кристаллографическим направлениям образуются фигуры травления, которые имеют вид углублений с правильными гранями. Поэтому отраженный от образца слабо расходящийся пучок света образует на экране световую фигуру, по положению которой можно оценить величину отклонения кристаллографической плоскости от плоскости торца слитка, при этом отражающая плоскость всегда совпадает с кристаллографической плоскостью (111). Отклонение реальной поверхности торца слитка от кристаллографической плоскости (111) приводит к отклонению отраженного луча на экране на некоторое расстояние d (рис. 3,а) характеризующееся некоторым углом реальной поверхности шлифа от плоскости (111).
Типичной световой фигурой для слитка, выращенного в направлении [111], является трех лепестковая, а для слитка [100] – четырех лепестковая звезда (рис. 3, б). Перед началом ориентации выводят световое пятно в центр экрана в место пересечения вертикальной и горизонтальной осей. Для этого вместо слитка ставят эталон, который имеет зеркальную полированную поверхность. Затем устанавливают слиток. Если торец слитка совпадает с кристаллографической плоскостью, например с плоскостью (111), то световое пятно будет находиться на экране в месте пересечения. Поворотом слитка вручную вокруг оси устанавливают световую фигуру так, чтобы её лепестки-лучики занимали симметричное положение относительно вертикальной оси. В этом положении слиток закрепляется прижимным винтом кристаллодержателя.
До процесса ориентации выявляют микроструктуру слитка. Это осуществляют путем травления шлифованного торца Ge (или Si) слитка селективными травителями, состав, которых приведен в табл.1. Точность ориентации этим методом зависит от состава травителя и режима травления; от диаметра, расходимости и яркости светового пучка и других факторов. Установка ориентировки слитков световым методом настольного типа ЖК 78.08 представлена на рис.4. В светозащитном корпусе 8 смонтированы все узлы и детали установки: оптическая система, состоящая из осветителя 1, отделённого плитой 6, конденсатора 2, диаграммы 3, отражающих зеркал 4, 5, 10, объектива 7 с зубчатыми парами 9 и 11 для установки фокуса и размера диаграммы соответственно; кристаллодержатель 12, служащий для установки и крепления слитка или эталона, помещается на верхнюю плиту до упоров и прижимается зажимом, стол кристаллодержателя, имеющий деталь с базировочной плоскостью, с помощью цангового зажима соединен с угломерной головкой 20, которая обеспечивает поворот стола с ориентируемым слитком на необходимый угол; подвижная плита 18, движущаяся в шариковых направляющих; фиксатор подвижной плиты 19; угломерная головка 20, предназначена для измерения углов поворота ориентируемого слитка с точностью до 1, конструкция ее представляет собой червячную пару с выбором люфта за счет упругой системы (более подробная конструкция угломерной головки приведена ниже на рис.5); отражающие зеркала 10 и 13; экран 15, состоящий из рамы,
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- . . .
- последняя »
Похожие работы
| Тема: Оборудование для ориентации полупроводниковых пластин |
| Предмет/Тип: Технология машиностроения (Реферат) |
| Тема: Основні гіпотези теорії згину пластин. Циліндричний і чистий згин тонких пластин |
| Предмет/Тип: Физика (Реферат) |
| Тема: Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин |
| Предмет/Тип: Химия (Реферат) |
| Тема: Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин |
| Предмет/Тип: Химия (Реферат) |
| Тема: План Общая информация о полупроводниковых лазерах 3 Применения полупроводниковых лазеров 4 |
| Предмет/Тип: Другое (Реферат) |
Интересная статья: Основы написания курсовой работы

(Назад)
(Cкачать работу)