Читать реферат по схемотехнике: "ЭТПиМЭ" Страница 5

(Назад) (Cкачать работу)

1000

3

Сетно-графия

2,25

1,25

3.2. Подбор навесных элементов ГИМС.

Для данной схемы требуется:1) один 4-х эмиттерный транзистор.

2) три транзистора n-p-n.

3) два диода.

Геометрические размеры навесных элементов должны быть соизмеримы с размерами пассивных элементов:

1) В качестве 4-х эмиттерного транзистора использован транзистор с геометрическими размерами 1х4 мм и расположением выводов как на рис.1.

2) В качестве транзистора n-p-n используем транзистор КТ331.

Эксплутационные данные:

Umax кэ = 15 В

Umax бэ = 3 В

I к max = 20 мА

3) В качестве диодов использован диод 2Д910А-1

Эксплутационные данные:

Uоб р = 5 В

Iпр = 10 мА

Проверим удовлетворяет ли мощность рассеивания на резисторах максимальной мощности рассеивания для материала из которого изготовлены резисторы, а именно для пасты ПР-1К у которой P0 = 3 Вт/см2.

Для R1

P1 max = 4,2 мВт

SR1 = b = 2  b = 2  0,5 = 1 мм2

Необходимо чтобы P0  P1 max , т.е. условие выполняется.

Для R2

P2 max = 8,4 мВт

SR2 = b = 2  b = 1  0,5 = 0,5 мм2

Необходимо чтобы P0  P2 max , т.е. условие выполняется.

Для R3

P3 max = 0,26 мВт

SR2 = b = 2  b = 2,25  1,25 = 2,82 мм2

Необходимо чтобы P0  P3 max , т.е. условие выполняется.

3.3. Топологический чертеж ГИМС (масштаб 10:1). 1

Похожие работы