Читать реферат по радиоэлектронике: "Моделирование распределения потенциала в МДП-структуре" Страница 1

(Назад) (Cкачать работу)

Министерство общего и профессионального образования РФ

Воронежский государственный университет факультет ПММ

кафедра Дифференциальных уравнении Курсовая работа

“Моделирование распределения потенциала

в МДП-структуре” Исполнитель : студент 4 курса 5 группы

Никулин Л.А. Руководитель : старший преподаватель

Рыжков А.В. Воронеж 1998г. ОГЛАВЛЕНИЕМАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПОТЕНЦИАЛА В МДП-СТРУКТУРЕ

Математическая модель- - - - - - - - - - - - - - - - - - - 3 ПРИМЕНЕНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКИХ МЕТОДОВ К

РЕШЕНИЮ ЗАДАЧИ

Использование разностных схем для решения

уравнения Пуассона и для граничных условий

раздела сред

Уравнение Пуассона- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -5

Граничные условия раздела сред- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -8 Общий алгоритм численого решения задачи

Метод установления- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -10

Метод переменных направлений- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -13

Построение разностных схем- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -16 ПРИЛОЖЕНИЕ- - - - - - - - - - - - - - - - - - -

ЛИТЕРАТУРА- - - - - - - - - - - - - - - - - - - Математическая модель распределения потенциала в МДП-структуре Математическая модель Пусть(x,y) - функция, описывающая распределение потенциала в полупроводниковой структуре. В области оксла (СDEF) она удовлетворяет уравнению Лапласа: d2d2

dx2dy2

а в области полупроводника (прямоугольник ABGH) - уравнению Пуассона:

d2  d2= 

dx2dy2

где

q- элементарный заряд e;

nn-диэлектрическая проницаемость кремния;

Nd(x,y)-распределение концентрации донорской примеси в подложке ;

Na(x,y)-распределение концентрации акцепторной примеси в подложке;

-диэлектрическая постоянная

Область окислаОбласть полупроводника

yBG

CFAHx

Рис.1.

| DE = Uз

| FG = Uc

| AH = Un На боковых сторонах полупроводниковой структуры требуется выполнение

однородного условия Неймана вытекающее из симметричности структуры

относительно линий лежащих на отрезках AB и GH: dd

dyABdyGH На боковых сторонах окисла так же задается однородное условие Неймана

означающее что в направлении оси OY отсутствует течение электрического

тока: dd

dy DCdyEF На границе раздела структуры окисел- полупроводник ставится условие

сопряжения : | -0 = | +0

ok Ex |-0 - nn Ex |+0 = - Qss где Qss -плотность поверхностного заряда;

ok -диэлектрическая проницаемость окисла кремния;

nn -диэлектрическая проницаемость полупроводника .

Под символом “+0” и”-0” понимают что значение функции берется бесконечно близко к границе CF со стороны либо полупроводника либо

Похожие работы