Читать реферат по электротехнике: "ЭТПиМЭ" Страница 4

(Назад) (Cкачать работу)

Ua

Uб

Uc

Ud

IR1

IR2

IR3

PR1

PR2

PR3

0

0

0

0

0,9

5

0

4,1

1,025

0

0

4,2

0

0

1

1

1

1

2,8

0,9

0,7

0,2

0,55

2,05

0,38

1,21

8,4

0,26

0

0

1

1

0,9

5

0

4,1

1,025

0

0

4,2

0

0

Ч а с т ь 3

3. Разработка топологии ГИМС.

В конструктивном отношении гибридная ИМС представляет собой заключенную в корпус плату (диэлектрическую или металлическую с изоляционным покрытием), на поверхности которой сформированы пленочные элементы и смонтированы компоненты.

В качестве подложки ГИМС используем подложку из ситала, 9-го типоразмера имеющего геометрические размеры: 10х12 мм (см[2] стр.171; табл. 4.6). Топологический чертеж ГИМС выполним в масштабе 10:1.

3.1. Расчет пассивных элементов ГИМС.

Для заданной схемы требуется 3 резистора следующих номинальных значений:

R1 = 4 кОмR2 = 2 кОмR3 = 1,8 кОм

Сопротивление резистора определяется по формуле:

,

где:

RS - удельное поверхностное сопротивление материала.

- длина резистора.

b - ширина резистора.

Для изготовления резисторов возьмем пасту ПР - ЛС имеющую RS =1 кОм.

Тогда:

=2 мм b = 0,5 мм R1 = 1000  ( 2 / 0,5 ) = 4 кОм

=1 мм b = 0,5 мм R2 = 1000  ( 1 / 0,5 ) = 2 кОм

=2,25 мм b = 1,25 мм R3 = 1000  ( 2,25 / 1,25 ) = 1,8 кОм

Сведем результаты в таблицу.

3.2. Подбор навесных элементов ГИМС. Для данной схемы требуется: 1) один 4-х эмиттерный транзистор.

2) три транзистора n-p-n.

3) два диода.

Геометрические размеры навесных элементов должны быть соизмеримы с размерами пассивных элементов:

1) В качестве 4-х эмиттерного транзистора использован транзистор с геометрическими размерами 1х4 мм и расположением выводов как на рис.1.

2) В качестве транзистора n-p-n используем транзистор КТ331. Эксплутационные данные:

Umax кэ = 15 В

Umax бэ = 3 В

I к max = 20 мА 3) В качестве диодов использован диод 2Д910А-1

Эксплутационные данные:

Uоб р = 5 В

Iпр = 10 мА Проверим удовлетворяет ли мощность рассеивания

Похожие работы