Читать реферат по радиоэлектронике: "Регулятор температуры" Страница 1

(Назад) (Cкачать работу)

1. Задание на курсовой проект Требуется разработать регулятор температуры, который будет поддерживать температуру в соответствии с графиком задания Рис. 1.

Точность соответствия температуры заданию должна быть не ниже 12%.t0C

80

-10

Uвх,В

0100200 220

Функциональная схема устройства :

Uп = 140+/-30%

Uвх

ЗИРСУVT1

ДtRн

Требования к узлам устройства: 1. Задатчик интенсивности :

1.1. Uвх0 = 0 В.

1.2. Uвх1 = 220 В ; (напряжение сети).

1.3. Время нарастания температуры32 с.

1.4. Задатчик должен обеспечивать потенциальную развязку от напряжения сети. 2. Система управления импульсным ключом:

2.1. Обосновать выбор типа модуляции.

2.2. Разработать принципиальную схему.

2.3. Рассчитать элементы. 3. Импульсный ключ:

Выбрать требуемый транзистор импульсного ключа

по току и напряжению. 4. Нагревательный элемент :

Мощность нагревательного элемента 250 Вт. 5. Датчик температуры:

Выполняется на диоде. 6. Регулятор :

Пропорционально интегральный регулятор. 2. Импульсный ключ.

Выбор силового ключа производится из расчета максимального напряжения Uкэ max и максимального тока Iк max

Un max = Uн + 30% = 182 B = U кэ maxIн = P/Uн = 1.786 AНоминальный ток через транзистор

Imax = U кэ max Iн / UнМаксимальный ток через транзистор

Транзистор выбираем с запасом по току и напряжению 30%.

U кэ max = Uп max + 30% = 236 B

I к max = I max + 30% = 3.9 A

Выбран транзистор КТ858А , из раздела высокочастотные мощные, со следующими параметрами :

I к max = 7А ; U кэ max = 400 В ;= 10 ; U бэо max = 6 В ;U кэ нас = 1 В

КIД = / 3 = 3.33Динамический коэффициент передачи по току

Iб max = I max / KIД = 0.905 А

3. Система управления импульсным ключом.

3.1. Предоконечный каскад.

Выбор транзисторов в предоконечном каскаде проводится по следующим параметрам : 1. Un < uбэо max(силового ключа)

2. Iк max = Iб (силового ключа) max + 50%

3. U кэ max = 2Un + 30%

Примем Un = 5 B

Тогда :

U кэ max = 13 В

Iк max = 1.358 А

Для как можно большего уменьшения тока управления необходимо в предоконечный каскад поставить транзистор с большим коэффициентом усиления. Важным условием так же является широкая полоса рабочих частот.

По этим параметрам выбран составной высокочастотный транзистор КТ972Б со следующими параметрами :

I к max = 4А ; U кэ max = 45 В ;= 750 ; U бэо max = 5 В ;U кэ нас = 1.5 В

КIД = / 3 = 250Динамический коэффициент передачи по току

Определим ток базы составного транзистора :

Iб max = Iк max / KIД = 0.005 А

Ток базы достаточно мал, значит можно уже использовать микросхему. Для более быстрого отключения силового транзистора необходимо притянуть накопившиеся на его базе заряды к отрицательному полюсу источника питания.

Для этого необходимо использовать транзистор типа p - n - p .Произведем выбор этого транзистора . 1. U кэ max = 2Un + 30%

2. Iк max = Iб (силового ключа) max + 50% Выбран транзистор 2Т830А со следующими параметрами :

I к max = 2А ; U кэ max = 25 В ;= 25 ; U бэо max = 12 В ;U кэ нас = 0.6 В3.2. Управление ключом поручим АЦП .K554CA3Б

3W

42

7Q

R

8 R9

11Q

6 +U

-U

Похожие работы