(Назад)
(Cкачать работу)сплавів квазібінарних Cu2S – Cu2Sе, Сu2S – Cu2Tе, Сu2S – Cu2Sе, Сu2S – Ag2Tе. У розрізі Cu2S – Cu2Sе виявлено сполуку змінного складу Cu2SexS1-x з областю існування 0,3х0,7, встановлено залежність параметрів її кристалічної ґратки від складу в області існування сполуки, вперше запропоновано модель її структури. Параметри гексагональної ґратки для складу Cu2Se0.3S0.7 (структурний тип Р63/mmc) становлять a=b=0,3399, с=0,6797нм.
У розрізі Сu2S – Cu2Tе встановлено сполуку Cu2TexS1-x з областю існування 0,4 х 0,7, яка має гексагональну гратку і параметри якої змінюються в межах a=b=0,4144 - 0,4071 нм., с = 0,7077 - 0,6931нм при заміщенні Те на S. Сплави Cu2TexS1-x при х=0,1-0,3 та х=0,9 є двофазними. Запропоновано можливу схему існування міжатомних зв'язків, побудовано моделі координаційних многогранників. Встановлено температурні інтервали -в - перетворення, яке реалізується через політипні структури.
У розрізі Сu2S – Ag2Tе встановлено існування сполуки CuAgTexS1-x з гексагональною граткою та областю гомогенності 0,3570К) and upon recrystallisation of films, which is one step process. The electrophysical properties of Cu2SexSi-x, Cu2TexSi-x, (0,3х0,7), Cu4TeSe, AgCuSe and Cu2Se are also investigated. These films show the high concentration of carriers (1019 -1021 sm-3 ) and thermo e.m.f. (20-160 V/K). The n-kind of conductivity exists in AgCuSe films and other show the p-kind. The scattering of charge carriers is explained in assumption that valence band consists two subbands – light-weight and high-weight holes. Within temperature range 240
Похожие работы
Интересная статья: Основы написания курсовой работы