Читать реферат по антикризисному менеджменту: "Химическое жидкосное травление" Страница 1

назад (Назад)скачать (Cкачать работу)

Функция "чтения" служит для ознакомления с работой. Разметка, таблицы и картинки документа могут отображаться неверно или не в полном объёме!

Калужский Филиал

Московского Государственного

Технического Университета

им. Н. Э. Баумана Отчет по технологической практике

на тему:Жидкостное химическое травление “ студент: Тимофеев А. Ю.

руководитель: Парамонов В. В. 1996 г.

г. Калуга.

Содержание.

стр.

1. Введение.3

1.1. Термодинамика травления.5

1.2. Общие принципы кинетики травления.8

1.3. Феноменологический механизм травления.9

2. Жидкостное травление.11

2.1. Травление SiO2.11

2.2. Травление кремния.14

2.3. Травление многослойных структур.19

2.4. Травление алюминия.20

2.5. Травители для алюминия.21

2.6. Электрохимическое травление.23

3. Практические аспекты жидкостного химического23

травления.

3.1. Другие характеристики травления.24

4. Заключение.25

5. Список литературы.26

Введение. Травление используется для селективной (химической) прорисовки диффузионных масок, формирования изолирующих или проводящих областей, в процессе которого вещество в области, подвергаемой травлению, химически преобразуется в растворимое или летучее соединение. В литографии травление применяется в основном для формирования диффузионных масок в слое термически окисленного кремния или для удаления материала через окна в диэлектрике при изготовлении металлических контактов. Металлическая разводка формируется путем селективного удаления промежутков (обращения изображения); фотошаблоны также изготавливаются травлением металлических пленок. Задача инженера-технолога состоит в том, чтобы обеспечить перенос изображения с резистной маски в подложку с минимальным отклонением размера (Е) и допуском (±Т) (см. рис. 1). Из рисунка видно, что суммарное изменение размера при литографии Е обусловлено искажением изображения в резистной маске (±0.1 мкм), уходом размера в резисте (±0.5 мкм) и уходом окончательного размера в процессе травления ±1.0 мкм с допуском в ±1.0 мкм. Рис. 1. Изменение размеров при переносе изображения из резиста в подложку с помощью изотропного травления. В зависимости от кристалличности пленки и целостности резиста (отсутствие отслоений при жидкостном и эрозии при плазменном травлении) уход размера может достигать толщины пленки D и даже превышать ее. Изотропное жидкостное травление, для которого характерно большое боковое подтравливание (L), пришлось заменить газофазным анизотропным травлением, для которого D/L>>1 (рис. 2). Изотропное травление происходит неупорядоченно, с одинаковой скоростью по всем пространственным направлениям - L и D. Анизотропное травление проявляется при некоторых отклонениях от изотропного процесса. Желательно, чтобы глубина травления (D) была много больше величины бокового подтравливания (L). Поскольку травление в вертикальном направлении при достижении глубины D прекращается, перетравливание определяется только скоростью удаления материала в боковом направлении. Степень анизотропии можно определить как отношение L/D, и ее величина зависит от многих физических параметров. Жидкостное травление определяется в основном статическими характеристиками типа адгезии и степени задубленности резиста, состава травителя и т.п. При сухом травлении степень анизотропии во многом зависит от таких


Интересная статья: Быстрое написание курсовой работы