протекание основного процесса в прямом направлении было возможно, должно выполняться следующее условие:<
равновесие выращивание кристалл реактор
1.4 Условия равновесия в системе при температуре основного процесса Для того, чтобы система находилась в равновесии при температуре синтеза соединения CdTe:= 11
2. Процесс сублимации компонентов Cd и Te.1 Сублимация компонента Cd.1.1 При комнатной температуре .1.2 При температуре фазового перехода ТCd = 594 К .1.3 При температуре основного процесса ТCdTe = 1000 К Таблица 3.
Логарифм константы равновесия для сублимации Cd
Т, К | 298 | 594 | 1000 |
| 31,196 | 8,823 | 0,384 |
Представим данные на графике Рис.2. Зависимость логарифма константы равновесия от обратной температуры для сублимации Cd Температура кипения Cd:
Справочные данные: Ткип Cd = 1039,8 K
Данные, полученные на основе термодинамического анализа: Ткип Cd = 1032,100 К
2.2 Сублимация компонента Te.2.1 При комнатной температуре .2.2 При температуре фазового перехода ТTe = 723 К .2.3 При температуре основного процесса ТCdTe = 1000 К Таблица 4.
Логарифм константы равновесия для сублимации Te
Т, К | 298 | 723 | 1000 |
| 24,787 | 5,332 | 2,669 |
Представим данные на графике Рис.3. Зависимость логарифма константы равновесия от обратной температуры для сублимации Te Температура кипения Te:
Справочные данные: Ткип Te = 1260,8 K
Данные, полученные на основе термодинамического анализа: Ткип Te = 1623,348 К .3 Pi-T диаграммы
:
линия: CdTeтв - Cdтв (ж) - газ (Cdпар + Te2 пар + CdTепар) < lg pcd газ = lg kp2 >
линия: CdTeтв - Teтв (ж) - газ (Cdпар + Te2 пар + CdTепар) < lg pcd газ = - lg kp1 - lg kp3 > Таблица 5.
Линии трёхфазного равновесия для Cd
Т, К | lg kp1 | lg kp2 | lg kp3 | lg PCd газ | ||
1 линия | 2 линия | |||||
298 | 41,155 | 13,548 | 10,765 | 13,548 | 30,390 | |
Тф.п. | Cd, 594 | 15,529 | 3,832 |
| 3,832 |
|
Te, 723 | 10,926 |
| 2,316 |
| 8,610 | |
1000 | 5,055 | 0,167 | 1,159 | 0,167 | 3,896 |
Представим данные на графике Рис.4. Зависимость логарифма парциального давления паров Cd от обратной температуры :
линия: CdTeтв - Teтв (ж) - газ (Cdпар + Te2 пар + CdTепар) < lg pte2 газ = 2lg kp3 >
линия: CdTeтв - Cdтв (ж) - газ (Cdпар + Te2 пар + CdTепар) < lg pte2 газ = - 2lg kp1 - 2lg kp2 > Таблица 6.
Линии трёхфазного равновесия для Te
Т, К | lg kp1 | lg kp2 | lg kp3 | lg PCd газ | ||
1 линия | 2 линия | |||||
298 | 41,155 | 13,548 | 10,765 | 21,530 | 55,214 | |
Тф.п. | Cd, 594 | 15,529 | 3,832 |
|
| 23,394 |
Te, 723 | 10,926 |
| 2,316 | 4,632 |
| |
1000 | 5,055 | 0,167 | 1,159 | 2,318 | 9,776 |
Представим данные на графике Рис.5. Зависимость логарифма парциального давления паров Te2 от обратной температуры Таблица 7.
Границы областей гомогенности для Cd и Te
Похожие работы
Тема: Технология выращивания монокристаллов германия на ФГУП "Германий" |
Предмет/Тип: Другое (Диплом) |
Тема: Теории деформационного упрочнения монокристаллов |
Предмет/Тип: Другое (Реферат) |
Тема: Теории деформационного упрочнения монокристаллов |
Предмет/Тип: Материаловедение (Реферат) |
Тема: ТРИ ТЕОРИИ ДЕФОРМАЦИОННОГО УПРОЧНЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ |
Предмет/Тип: Химия (Реферат) |
Тема: Выращивание профильных монокристаллов кремния методом Степанова |
Предмет/Тип: Информатика, ВТ, телекоммуникации (Вопросы) |
Интересная статья: Основы написания курсовой работы