Читать курсовая по схемотехнике: "Усилитель мощности системы поиска нелинейностей" Страница 4

(Назад) (Cкачать работу)

Еп=Uкэ0 =18В.

Видно, что напряжение питания значительно уменьшилось. Нагрузочные прямые по постоянному и переменному току приведены на рис. 1.6.

I, А

1.4R_

R~0.71834U, В

Рисунок 1.6 – Нагрузочные прямые по постоянному и переменному току. Расчет прямой по постоянному току:

Расчет прямой по переменному току:

,,

,.

Найдем так же расчетную мощность цепи и мощность потребления:

Сведем результаты расчетов в отдельную таблицу и проведем сравнительный анализ двух схем.

Таблица 1.1 - Сравнительный анализ схем

Из таблицы следует, что дроссельный каскад потребляет в несколько раз меньше, напряжение источника питания для него нужно небольшое, что выгодно отличает данную схему. В дальнейших расчетах она и будет использоваться.

Выбор транзистора осуществляется исходя из технического задания, по которому можно определить предельные электрические и частотные параметры требуемого транзистора. В данном случае они составляют (с учетом запаса 20%):[6]

Iк доп > 1.2*Iк0=0.84 А

Uк доп > 1.2*Uкэ0=21.6 В(1.8)

Рк доп > 1.2*Pрасс=15.2 Вт

fт= (3-10)*fв=(3-10)*250 МГц.

Этим требованиям с достаточным запасом отвечает широко распространенный транзистор КТ 934В, справочные данные которого приведены ниже [7]:

Iк=2 А

Uкэ=60 В

Pк=30 Вт

Fт= 960 МГц.

при

1.3.3. Расчет эквивалентных схем транзистора КТ934В.

а) Модель Джиаколетто.

Модель Джиаколетто представлена на рис.1.7. Рисунок 1.7 - Эквивалентная схема Джиаколетто. Необходимые для расчета справочные данные:

, постоянная цепи обратной связи.

, статический коэффициент передачи тока базы.

, емкость коллекторного перехода.

Найдем при помощи постоянной времени цепи обратной связи сопротивление базового перехода нашего транзистора:[5]

(1.9)

Из справочных данных мы знаем, что при, ана 18В. Для того, чтобы свести параметры к одной системе воспользуемся формулой перехода:[1]

(1.10)

в нашем случае:

Теперь, зная все параметры, можно найти сопротивление:

, тогда

Найдем значение коллекторной емкости в рабочей точке по той же формуле перехода:

Найдем значения оставшихся элементов схемы:

, где(1.11)

– паспортное значение статического коэффициента передачи,

– сопротивление эмиттеного перехода транзистора

Тогда

Емкость эмиттерного перехода: , где– типовое значение граничной частоты коэффициента передачи тока, взятое из паспортных данных транзистора.[7]

Найдем оставшиеся параметры схемы:

(1.12)

(1.13)

(1.14)

б) Однонаправленная модель.[4]

Однонаправленная модель представлена на рис.1.8.

Рисунок 1.8 - Однонаправленная модель. При определении значений элементов высокочастотной модели воспользуемся паспортными данными транзистора:[7]

(1.15)

где– входное сопротивление,– выходная емкость,– выходное сопротивление.В паспортных данных значение индуктивности.[7]

где– индуктивности выводов базы и эмиттера.

В результате получим:

Похожие работы