- 1
- 2
Функция "чтения" служит для ознакомления с работой. Разметка, таблицы и картинки документа могут отображаться неверно или не в полном объёме!
изготавливаются с различнымизначениями Vст, от 3 до 200 В.
Для диодов с Vст>7В ширина p-n-перехода достаточно велика и механизм пробоя лавинный. С ростом температуры обратный ток диода увеличивается,так-же увеличивается и напряжение пробоя. Это обусловлено тем, что тепловое рассеяние увеличивается, длина свободного пробега носителей уменьшается и к p-n-переходу требуется приложить большее напряжение, чтобы носители заряда на большем пути (равном длине свободного пробега) набрали кинетическую энергию, достаточную для ионизации.
В диодах с Vст
- 1
- 2
Похожие работы
Тема: Полупроводниковые нелинейные элементы: полупроводниковые диоды |
Предмет/Тип: Информатика, ВТ, телекоммуникации (Реферат) |
Тема: Полупроводниковые нелинейные элементы: полупроводниковые диоды |
Предмет/Тип: Радиоэлектроника (Реферат) |
Тема: Полупроводниковые диоды 3 |
Предмет/Тип: Информатика, ВТ, телекоммуникации (Реферат) |
Тема: Полупроводниковые диоды |
Предмет/Тип: Физика (Курсовая работа (т)) |
Тема: Полупроводниковые диоды |
Предмет/Тип: Информатика, ВТ, телекоммуникации (Учебное пособие) |
Интересная статья: Быстрое написание курсовой работы