Читать методичка по информатике, вычислительной технике, телекоммуникациям: "ТЕОРИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СВЯЗИ" Страница 9

назад (Назад)скачать (Cкачать работу)

Функция "чтения" служит для ознакомления с работой. Разметка, таблицы и картинки документа могут отображаться неверно или не в полном объёме!

5

5

Таблица 4.6.

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

S, mA/B

100

95

110

85

120

75

115

90

105

80

Uo, B

0,35

0,45

0,55

0,65

0,75

0,40

0,50

0,60

0,70

0,80

Um, B

0,40

0,50

0,45

0,60

0,80

0,45

0,35

0,50

0,55

0,65

    Объяснить назначение и виды модуляции.Изобразить схему транзисторного амплитудного модулятора, пояснить принцип ее работы.Дать понятие статистической модуляционной характеристики (СМХ). Рассчитать и построить (СМХ) при заданных S, Uo и значения амплитуды высокочастотного напряжения Um.С помощью СМХ определить оптимальное смещение Eo и допустимую величины амплитуды UΩ модулирующего напряжения UΩ cosΩt, соответствующие неискаженной модуляции.Рассчитать коэффициент модуляции mam для выбранного режима. Построить спектр и временную диаграмму am сигнала.

Задача 6

Задана вольт-амперная характеристика диода амплитудного детектора аппроксимированная отрезками прямых

i = SU при u ≥0

0 при u >α

G(ω)= Go [1-ω/α] при 0< ω >α

G(ω)= Go [1-[ω-ωo]/α] при [ω-ωo]≤α G(ω)=0 при [ω-ωo] >α

G(ω)= Go ∙ α2 /α2+ [ω-ωo]2

G(ω)= Gol - [ω-ωo]2 /α 2

G(ω)=Goα2∙sinω-ωo /α2/ [ω-ωo]2

G(ω)= Gol - ω2/α 2

Go,

2∙10

10-3

2∙10

10-3

4∙10

3∙10

4∙10

3∙10

4∙10

2∙10-3

α,

100

700

200

500

150

300

250

400

350

600

m x, b

0

1

2

3

4

-1

-2

-3

-4

0

a, b

-2

0

1

0

1

-3

-4

-5

-7

-3

b, B

2

3

4

5

7

2

1

0,5

-1

3

c, B

-1

-2

0

1

2

-2

-3

-4

-5

-2

d, B

3

2

3

4

5

1

-0,5

-1,5

-2

1,5

    Определить корреляционную функцию B(τ) случайного процессаПостроить графики G (ω) и B(τ)Записать выражение для функции плотности вероятности W (x) случайного процесса и построить ее график.

Задача 5

Задана вольт-амперная характеристика биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимированного выражением

iк = S(Uσ – Uo) при Uσ ≥ Uo

0при Uσ < uo

где, iк - ток коллектора транзистора;

Uσ - напряжение на базе транзистора;

S - крутизна характеристики

Uo - напряжение отсечки

Таблица 4.4.

послед. цифра шифра

ФПВ W(x)

a

b

c

d

е

послед. цифра шифра


Интересная статья: Основы написания курсовой работы