Читать практическое задание по информатике, вычислительной технике, телекоммуникациям: "Конструирование микросхем и микропроцессоров" Страница 1
- 1
- 2
- 3
- . . .
- последняя »
Московский Государственный институт электроники и математики
(Технический университет) Кафедра: РТУиС
Пояснительная записка
по выполнению курсового проекта на тему:
“Конструирование микросхем и микропроцессоров”Выполнил:студент группы Р-72
Густов А.М.Руководитель: доцент кафедры РТУиС,
кандидат технических
наук Мишин Г.Т.
Москва, 1994 Задание на курсовое проектирование В данном курсовом проекте требуется разработать комплект конструкторской документации интегральной микросхемы К 237 ХА2. По функциональному назначению разрабатываемая микросхема представляет собой усилитель промежуточной частоты. Микросхема должна быть изготовлена по тонкопленочной технологии методом свободных масок (МСМ) в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИМС).
Рис. 1.Схема электрическая принципиальная
Таблица 1. Номиналы элементов схемы:
| Элемент | Номинал | Элемент | Номинал | Элемент | Номинал | Элемент | Номинал |
| R1 | 950 Ом | R7 | 4,25 кОм | R13 | 1 кОм | R19 | 1 кОм |
| R2 | 14 кОм | R8 | 12,5 кОм | R14 | 3,5 кОм | C1 | 3800 пФ |
| R3 | 45 кОм | R9 | 500 Ом | R15 | 10 кОм | VT1-VT8 | КТ 312 |
| R4 | 35 кОм | R10 | 3 кОм | R16 | 3,5 кОм | E | 7,25 В |
| R5 | 12,5 кОм | R11 | 10 кОм | R17 | 2,5 кОм | ||
| R6 | 950 Ом | R12 | 500 Ом | R18 | 1 кОм |
Для подачи на схему входного сигнала и снятия выходного к микросхеме требуется подключить некоторое количество навесных элементов. Одна из возможных схем включения приведена на следующем рисунке.
Рис. 2. Возможная схема включения
Таблица 2. Номиналы элементов схемы включения
| Элемент | Номинал | Элемент | Номинал |
| RA | 8,2 кОм | CB | 1 мкФ |
| RB | 43 Ом | CC | 0,033 мкФ |
| RC | 2,2 кОм | CD | 0,015 мкФ |
| RD | 1,5 кОм | CE | 4700 пФ |
| CA | 3300 пФ | CF | 3300 пФ |
Технические требования: Конструкцию микросхемы выполнить в соответствии с электрической принципиальной схемой по тонкопленочной технологии методом свободных масок в корпусе.
Микросхема должна удовлетворять общим техническим условиям и удовлетворять следующим требованиям:
предельная рабочая температура - 150° С; расчетное время эксплуатации - 5000 часов; вибрация с частотой - 5-2000 Гц; удары многократные с ускорением 35; удары однократные с ускорением 100; ускорения до 50.
Вид производства - мелкосерийное, объем - 5000 в год.
Аннотация Целью данного курсового проекта является разработка интегральной микросхемы в соответствии с требованиями,
- 1
- 2
- 3
- . . .
- последняя »
Похожие работы
| Тема: Конструирование микросхем и микропроцессоров |
| Предмет/Тип: Информатика, ВТ, телекоммуникации (Другое) |
| Тема: Конструирование микросхем и микропроцессоров |
| Предмет/Тип: Информатика, ВТ, телекоммуникации (Реферат) |
| Тема: Конструирование микросхем |
| Предмет/Тип: История техники (Реферат) |
| Тема: Конструирование микросхем |
| Предмет/Тип: История техники (Реферат) |
| Тема: Классификация микропроцессоров, типы и характеристики выпускаемых МП комплектов. CISC и RISC процессоры |
| Предмет/Тип: Информатика, ВТ, телекоммуникации (Реферат) |
Интересная статья: Быстрое написание курсовой работы

(Назад)
(Cкачать работу)