Читать практическое задание по информатике, вычислительной технике, телекоммуникациям: "Конструирование микросхем и микропроцессоров" Страница 1

назад (Назад)скачать (Cкачать работу)

Функция "чтения" служит для ознакомления с работой. Разметка, таблицы и картинки документа могут отображаться неверно или не в полном объёме!

Московский Государственный институт электроники и математики

(Технический университет) Кафедра: РТУиС

­­ Пояснительная записка

по выполнению курсового проекта на тему:

Конструирование микросхем и микропроцессоров”Выполнил:студент группы Р-72

Густов А.М.Руководитель: доцент кафедры РТУиС,

кандидат технических

наук Мишин Г.Т.

Москва, 1994 Задание на курсовое проектирование В данном курсовом проекте требуется разработать комплект конструкторской документации интегральной микросхемы К 237 ХА2. По функциональному назначению разрабатываемая микросхема представляет собой усилитель промежуточной частоты. Микросхема должна быть изготовлена по тонкопленочной технологии методом свободных масок (МСМ) в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИМС).

Рис. 1.Схема электрическая принципиальная

Таблица 1. Номиналы элементов схемы:

Элемент

Номинал

Элемент

Номинал

Элемент

Номинал

Элемент

Номинал

R1

950 Ом

R7

4,25 кОм

R13

1 кОм

R19

1 кОм

R2

14 кОм

R8

12,5 кОм

R14

3,5 кОм

C1

3800 пФ

R3

45 кОм

R9

500 Ом

R15

10 кОм

VT1-VT8

КТ 312

R4

35 кОм

R10

3 кОм

R16

3,5 кОм

E

7,25 В

R5

12,5 кОм

R11

10 кОм

R17

2,5 кОм

R6

950 Ом

R12

500 Ом

R18

1 кОм

Для подачи на схему входного сигнала и снятия выходного к микросхеме требуется подключить некоторое количество навесных элементов. Одна из возможных схем включения приведена на следующем рисунке.

Рис. 2. Возможная схема включения

Таблица 2. Номиналы элементов схемы включения

Элемент

Номинал

Элемент

Номинал

RA

8,2 кОм

CB

1 мкФ

RB

43 Ом

CC

0,033 мкФ

RC

2,2 кОм

CD

0,015 мкФ

RD

1,5 кОм

CE

4700 пФ

CA

3300 пФ

CF

3300 пФ

Технические требования: Конструкцию микросхемы выполнить в соответствии с электрической принципиальной схемой по тонкопленочной технологии методом свободных масок в корпусе.

Микросхема должна удовлетворять общим техническим условиям и удовлетворять следующим требованиям:

    предельная рабочая температура - 150° С; расчетное время эксплуатации - 5000 часов; вибрация с частотой - 5-2000 Гц; удары многократные с ускорением 35; удары однократные с ускорением 100; ускорения до 50.

Вид производства - мелкосерийное, объем - 5000 в год.

Аннотация Целью данного курсового проекта является разработка интегральной микросхемы в соответствии с требованиями,


Интересная статья: Быстрое написание курсовой работы