Читать методичка по информатике, вычислительной технике, телекоммуникациям: "Электроника" Страница 1

(Назад) (Cкачать работу)

Министерство образования и науки Российской Федерации

Иркутский государственный технический университет

Физико-технический институт

Кафедра радиоэлектроники и телекоммуникационных систем

Методические указания для лабораторных работИркутск

Электроника. Методические указания для лабораторных работ. Составители: Е.М.Фискин, М.М.Фискина. -Иркутск: Изд-во ИрГТУ, 2012.-25 с.

Содержатся материалы, необходимые для выполнения лабораторных работ по курсу «Электроника».

Предназначены для студентов специальности «Радиотехника» и «Инфокоммуникационные технологии».

Главной целью лабораторных работ по дисциплине является получение практических навыков в работе с измерительными приборами и ознакомление с методиками исследования электронных приборов.

В каждой лабораторной работе студенту необходимо выполнить исследование по предложенной преподавателем теме.

Рекомендуемый перечень лабораторных работ.

1. Ознакомление с лабораторным стендом

2. Полупроводниковые диоды

. Биполярные транзисторы

. Полевые транзисторы

. Тиристоры

. Электронно-лучевые трубки

Для каждой лабораторной работы оформляется отчет.

Отчеты-проекты по лабораторным работам оформляются в соответствии с требованиями методических указаний по выполнению каждой лабораторной работы и требованиями стандарта СТО ИрГТУ.027-2009. Лабораторная работа 1

ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: исследование основных свойств p-n-перехода, вольт-амперных характеристик и параметров германиевых и кремниевых диодов и стабилитрона.

Оборудование и принадлежности: лабораторный стенд, германиевый диод Д9, кремниевый диод КД103, стабилитрон Д814, провода соединительные.

Основные теоретические сведения

Полупроводниковым диодом называется двухэлектродный прибор с выпрямляющим электрическим переходом. В качестве выпрямляющего электрического перехода применяются p-n-переход или выпрямляющий контакт металла с полупроводником.

Большинство полупроводниковых диодов представляют собой структуру, состоящую из областей p- и n-типа, имеющих различную концентрацию примесей и разделенных электронно-дырочным переходом, область с высокой концентрацией примеси (порядка 1018см-3) называют эмиттером. Область с низкой концентрацией примеси (порядка 1014 - 1016 см-3) - базой.

Полупроводниковый диод как элемент электрической цепи является нелинейным двухполюсником, т. е. электронным прибором с двумя внешними выводами и нелинейной вольт-амперной характеристикой (ВАХ). Он выполняет функцию преобразования сигналов (выпрямление, детектирование, умножение частоты, преобразование световой энергии в электрическую и др.).

На рис. 1 приведена типовая ВАХ диода. Вольт-амперная характеристика идеального p-n-перехода и диода выражается уравнением:

, где I0 - обратный ток, U- внешняя разность потенциалов -температурный потенциал.

Параметры диода, определяемые по ВАХ (рис.2):

1. прямое сопротивление диода по постоянному току

. обратное сопротивление диода по постоянному току

3. дифференциальное прямое сопротивление диода

4. дифференциальное обратное сопротивление диода ;

5. дифференциальное сопротивление стабилитрона в области стабилизации .

Похожие работы