Читать лекция по физике: "Общая Физика (лекции по физике за II семестр СПбГЭТУ "ЛЭТИ")" Страница 3


назад (Назад)скачать (Cкачать работу)

Функция "чтения" служит для ознакомления с работой. Разметка, таблицы и картинки документа могут отображаться неверно или не в полном объёме!

(F-) = q*E == q*E/X*l*cos = P*E/X*cos == /кроме вращающего момента на диполь действует сила, зависящая от угла , если угол острый, то диполь «втягивается» внутрь поля/ == (PEcos)/X = -W/X. 22. Поляризация диэлектриков:

Р – параметр, описывающий состояние диэлектрика в электрическом поле.



P = (i = 1NPi)/V (-+)(-+)(-+)(-+)

(-+)(-+)(-+)(-+)

(-+)(-+)(-+)(-+)

(-+)(-+)(-+)(-+)

(-+)(-+)(-+)(-+)

(-+)(-+)(-+)(-+)Е

(-+)(-+)(-+)(-+)

(-+)(-+)(-+)(-+)

(-+)(-+)(-+)(-+)

На поверхности возникают связанные заряды с плотностью СВЯЗ.



P = H0E

H – коэффициент диэлектрической восприимчивости;

Е – результирующий вектор.ESl

n

Pn

d-+

P*V – суммарный дипольный момент молекул внутри цилиндра.

V = S*l*cos

P*V = P*S*l*cos = q*l

q = СВЯЗ*S

P*S*cos*l = СВЯЗ*S*l

P*cos = СВЯЗ

СВЯЗ = H0E, где Е – результирующее поле в диэлектрике.

 

Е = Е0 + Е’

Внешнее поле должно ослабляться:

 

Д = 0Е + Р = 0E + H0E =



= (1 + H)0E = 0E. 23. Поле внутри плоской диэлектрической пластины:+0-0Е0

-+-+-+0 – свободные перемещающиеся заряды, создающие Е0 (вектор);

Число силовых линий уменьшается во столько раз, какое значение имеет .

Е0 = 0/0

Е = Е0 – Е’ = 0/0 - СВЯЗ/0 == 1/0(0 - СВЯЗ);

E = E0 – HE  E*(1 +H) = E0 E = E0/(1+H) = E0/;

Д = 0E = 0E, т.е. вектор индукции внутри не изменяется, плотность силовых линий остается постоянной.

E = 1/0*(0 - СВЯЗ) = E0/ =0/(0);

CВЯЗ = 0*( - 1)/. 25. Сегнетоэлектрики:

Существуют группы веществ, которые могут обладать самопроизвольной поляризованностью в отсутствие внешнего поля. Подобные вещества получили название сегнетоэлектриков.

Впервые свойства сегнетоэлектриков было изучено Курчатовым.

Отличия сегнетоэлектриков от остальных диэлектриков:

1) Диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков измеряется тысячами, а у диэлектриков – десятками.

2) Диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков зависит от напряженности поля.

3) Сегнетоэлектрики обладают явлением гистерезиса (запаздывания):P1

Pr23EEC

При изменении поля значение поляризованности Р и смещения D отстают от напряженности поля Е, в результате чего P и D зависят не только от текущего значения Е, но и от проедшествующего. Это явление называется гистерезисом.

На участке (2), при обращении Е в ноль, сохраняется остаточная поляризованность Pr. Она становится равной нулю только под действием противоположнонаправленного поля ЕС, называемой коэрцетивной силой.

Сегнетоэлектриками могут быть только кристаллические вещества с отсутствующим центром симметрии.

У каждого сегнетоэлектрика  темпиратура, называемая точкой Кюри, при которой он утрачивает свои свойства и становиться обычным диэлектриком. 26. Поведение векторов напряженности и индукции на границе двух сред:

E1

1

n1

En11

dh

E2

2

En2n22 Выделим на границе сред тонкую «шайюбу» толщиной dh  0 и площадью S. Подсчитаем поток индукции Д через выделенный объем.

Дn2*S*cos0o + Дn1*S*cos180o + ФБОК = 0, где Ф = 0, т.к. dh  0;

Дn2*S - Дn1*S = 0  Дn2 = Дn1  02En2 = 01En1  En2/En1 = 1/2.

Дn – неприрывна, а Еn терпит разрыв.

Рассмотрим циркуляцию вектора Е по контуру на границе раздела сdh  0:

E1

E1 E2l

E1

E2

E2

E1 l cos0o +



Интересная статья: Основы написания курсовой работы