Читать курсовая по физике: "Расчет схемы амплитудно-фазовой частотной характеристики ЭХС" Страница 1

назад (Назад)скачать (Cкачать работу)

Функция "чтения" служит для ознакомления с работой. Разметка, таблицы и картинки документа могут отображаться неверно или не в полном объёме!

Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования

«Новосибирский национальный исследовательский государственный университет»

(Новосибирский государственный университет)

Структурное подразделение Новосибирского государственного университета

Высший колледж информатики Университета

КАФЕДРА ЕСТЕСТВЕННОНАУЧНЫХ ДИСЦИПЛИН Расчет схемы амплитудно-фазовой частотной характеристики ЭХС Введение Цель: убедится в перспективности способа измерения импеданса ЭХС с предварительной компенсацией сопротивления электролита и емкости двойного электрического слоя. Используемые сокращения для обозначения параметров:

Re - сопротивление электролита;

Rp - сопротивление электродной границы

Cd- емкость двойного электрического слоя и константы стадии диффузии, константы А Варбурга.;- импеданса Варбурга=1000 - Константа Варбурга, Ом/сек^-1/2; Методы расчета Zdl = A./sqrt(w*(1-j)

=100; Значение объемного сопротивления электролита.=10^-5; Значение параметра Cd - емкость двойню эл. слоя.=1000; Значениесопротивления перехода R3=Rp.

=j.*w*Cd+1. /(R3+Zdl) Адмиттанс электродной границы без Ro.

=R2+1. /y3 Импеданс исследуемого ЭХО.R2 - сопротивление электролита=min(imag(Zio)) поиск экстремального значения

e=abs(ImZiomin*2)

=abs(R3-R3e); абсолютная погрешность определения сопротивления Re=R3e.=(dR3/R3) *100; относительная погрешность определения Re=R3e.

Используя уравнение w*Cd*R3=1, зная частоту w в точке минимума и зная R3,можно определить значение Cd. Cde=1/(75*R3e)=abs(Cd-Cde)=(dCd/Cd) *100=10^4=min(real(Zio)); Rk=100e=abs(Rk);=abs(R2-R2e);=(dR2/R2) *100;=1. /Zio;=10^-10;

R0=10^6;=1. /(j.*w*C0+(1/R0)) входной импеданс измерительной цепи. Учтемшунтирующее влияние измерителя на исследуемый импеданс Zio ЭХО.

. Непосредственно по частотной характеристике можно определить параметры схемы замещения ИО с импедансом Zio=R2+1. /y3. В этом случае сопротивление электролита определяется с погрешностью, порядка 0,02.

.Полученная оценка значения сопротивления электрохимической реакции R3=Rp имеют погрешностью порядка 12,5, а погрешность в оценке значения емкости двойного электрического слоя Cd - составляет 18. Это достаточно грубые оценки. Поэтому нужно усовершенствовать импедансный метод.

Применение компенсации для повышения точности измерений параметров Rp и CdМетодика компенсации емкости cd

1. Введем отрицательное значение проводимости - j*w*Ck и определим: Yio2=Yio1-j*w*Ck

импеданс сопротивление электрический

2. Определим остаточный импеданс Zio2 после компенсации Zio2=1. /Yio2 . Строим график годографа импеданса Zio2: plot(real(Zio2), imag(Zio2)). Видим, что на графике Re отсутствует . Первоначальное значение Ск возьмем равным определенному выше при анализе частотной характеристики импеданса ИО: Zio=R2+1. /y3 и определенное из соотношения 1= wCdRp, откуда Сd=1/(w*Rp).

. Затем пошагово изменяем значение Ск, одновременно контролируем на каждом шаге поведение мнимой его части годографа plot(real(Zio2), imag(Zio2)) Если при принятом значении Ск получаем годограф с положительными значениями мнимого компонента, то это указывает, что произошла перекомпенсация Cd. Необходимо сделать шаг назад, т.е. уменьшить Ск на единицу младшего разряда.

Пошагово уменьшаем значение Ck, чтобы получить годограф с отрицательным значением мнимого компонента.

. Строим график зависимости


Интересная статья: Быстрое написание курсовой работы