Читать курсовая по информатике, вычислительной технике, телекоммуникациям: "Проектирование интегрального параметрического стабилизатора напряжения" Страница 5

назад (Назад)скачать (Cкачать работу)

Функция "чтения" служит для ознакомления с работой. Разметка, таблицы и картинки документа могут отображаться неверно или не в полном объёме!

резисторе RГ а напряжение Uвых на стабилитроне и, следовательно, на нагрузке Rн остается постоянным. Сопротивление RГ берется таким, чтобы падение напряжения на нем составляло (0,5 ÷ 3,0) Uвых. В таком стабилизаторе КПД составляет 20-30%, коэффициент стабилизации - 20-50.

Далее следует заметить, что поскольку общий ток практически неизменен, увеличение выходного тока сопровождается уменьшением тока стабилитрона. При коротком замыкании выходных зажимов (Rн = 0) получаем Iст = 0, т.е. диодный стабилизатор «не боится» коротких замыканий на выходе. Эта особенность свойственна всем стабилизаторам параллельного типа, у которых регулирующий элемент включен параллельно нагрузке. Рис. 1.3. Схема простейшего параметрического стабилизатора напряжения на опорном диоде (стабилитроне) Для увеличения коэффициента стабилизации применяют каскадное включение стабилитронов. Для этого на выходе приведенной схемы включаются еще один балластный резистор и стабилитрон с более низким напряжением стабилизации. Общий коэффициент стабилизации будет равен произведению коэффициентов стабилизации отдельных стабилизаторов. При этом резко уменьшается КПД. Например, при двухкаскадном включении стабилизаторов с КПД, равным 25%, общий КПД равен нескольким процентам. Рис. 1.4. Схемы параметрических стабилизаторов напряжения с термокомпенсацией Параметры кремниевых стабилитронов сильно зависят от температуры окружающей среды, что вызывает необходимость специальной термокомпенсации. У кремниевых стабилитронов с ростом температуры напряжение стабилизации увеличивается, т. е. они имеют положительный температурный коэффициент по напряжению (ТКН). Включение в стабилизатор элементов Rt° с отрицательным ТКН позволяет уменьшить влияние температуры (рис. 1.4. а). В качестве термокомпенсирующего элемента используются обычные полупроводниковые диоды либо кремниевые стабилитроны, включенные в прямом направлении (рис. 1.4, б). В отличие от стабилитрона, включенного в обратном направлении, кремниевый стабилитрон, включенный в прямом направлении, имеет отрицательный ТКН. Так как изменение напряжения стабилизации с ростом температуры превышает изменение прямого падения напряжения на одном стабилитроне, для полной компенсации используются несколько стабилитронов. Термокомпенсирующими элементами часто служат полупроводниковые термосопротивления с отрицательным ТКН (термисторы). Для увеличения выходного напряжения стабилитроны включаются последовательно. Из-за разброса напряжения стабилизации параллельное включение кремниевых стабилитронов недопустимо. В этом случае стабилитрон с более низким напряжением стабилизации оказывается перегруженным по току. 1.5 Транзисторные стабилизаторы напряжения. Компенсационные стабилизаторы Стабилизатор имеет структуру эмиттерного повторителя: нагрузка включена в цепь эмиттера, а на базу вместо переменного сигнала подано постоянное опорное напряжение Uоп. Источником опорного напряжения обычно служит диодный стабилизатор., (5)

т.е. выходное наряжение определяется значением опорного напряжения.

Если пренебречь базовым током, то входной и выходной токи практически одинаковы: . Следовательно, увеличение тока нагрузки влечет за собой такое же увеличение коллекторного тока и тем самым - мощности,


Интересная статья: Основы написания курсовой работы