Читать курсовая по информатике, вычислительной технике, телекоммуникациям: "Определение параметров транзисторов. Синтез комбинационной логической схемы" Страница 1

(Назад) (Cкачать работу)

Министерство образования Республики Беларусь

Витебский государственный технологический университет

Кафедра АТПП

Курсовая работа по предмету

“Электронные устройства автоматики”

Выполнила:

Студентка 3 курса

гр. ЗА-32

Шенявская Р.Б.

Витебск 2015

ВведениеРадиоэлектронике и вычислительной технике принадлежит огромная роль в социальном и экономическом развитие. Без высокого уровня развития различных областей радиоэлектроники невозможно достижение того состояния информатики, которое принято сейчас называть информационным обществом. Одним из наиболее важных факторов ускорения научно-технического прогресса, автоматизации производства, создания новых высокоэффективных технологий является всё более широкое использование электронно-вычислительной техники. Эффективность электронной аппаратуры обусловлена высоким быстродействием, точностью и чувствительностью входящих в неё элементов.

В предложенном задание необходимо произвести исследование биполярного и полевого транзисторов, построить комбинационную логическую схему на микросхемах и релейной аппаратуре, разработать принципиальную электрическую схему параллельного и последовательного суммирующих счётчиков. Задание 1. Определение дифференциальных параметров транзистора по его статическим характеристикам, расчет параметров эквивалентной схемы биполярного транзистора Биполярный транзистор, вариант 5: Iк=480 мА;Uкэ=5 В; рисунок 1.

Определение h-параметров полевого транзистора.

Определение коэффициента усиления по току: Рисунок 1 По исходным данным определяем на выходной характеристике рабочую точку. Она соответствует току базы Iб= 3,2 мА.

Пусть ΔIб=4-3.2=0.8 мА, тогда по выходной характеристике

ΔIк=570-480=90 мА

откуда

21э= ΔIк/ΔIб при ΔUкэ=0 h21э=0.09/0.0008=112,5

Определение выходной проводимости:

22э=ΔIк/ΔUкэ при ΔIб=0 задаёмся значением ΔUкэ=5-2=3 В, тогда по выходной характеристике:

ΔIк=480-465=15 мА

откуда22э=0.015/3=0.005 См Рисунок 2 Определение коэффициента внутренней обратной связи:

12э= ΔUбэ/ΔUкэ при ΔIб=0 Задаваясь током базы Iб= 3,2 мА, определяем значение ΔUбэ:

ΔUбэ=1,12-0.6=0.52 В Рисунок 3 Т.к. напряжение Uкэ изменяется от 0 до 10 ,то12э=0.52/10=0.052

Определение входного сопротивления:

11э= ΔUбэ/ΔIб при ΔUкэ=0 допустим, что при ΔUкэ=5В входная характеристика сместиться от своего реального положения на прямопропорциональную величину в сторону уменьшения: Рисунок 4

Пусть ΔIб=4,5-1=3,5 мА, тогда ΔUбэ=0,92-0.75=0.0,17 В, а значит11э=0.17/0.0035=48,5 Ом

Расчет физических параметров транзистора. Рисунок 5 Рисунок 5-эквивалентная схема замещения транзистора по схеме с общим эмиттером.

Сопротивление rэ, rб, rк- определяются через h-параметры транзистора, включенного по схеме с общей базой:

э = h12э/h22э;

э =0.052/0.005 = 10,4Ом; rб = h11э - (1+ h21э) · h12э/h22э;

б =85.7-(1+112,5)·0.052/0.005=1094 Ом;

к = 1/ h22э; rк = 1 / 0.005 = 200 Ом; Полевой транзистор, Uси =6 В, Iс = 3,5 мА, рисунок 3.

Определение параметров полевого транзистора в заданной рабочей точке А, при включение по схеме с общим истоком.

По выходной характеристике определяем внутреннее сопротивление: r=ΔUси / ΔIс при Uзи = const.

= (6 - 4) / ((3.5 - 3.44) · 0.001) = 33 кОм; Рисунок 6 По входной характеристике определяем её

Похожие работы