Читать курсовая по информатике, вычислительной технике, телекоммуникациям: "Блок управления модулятором добротности твердотельного лазера" Страница 3

назад (Назад)скачать (Cкачать работу)

Функция "чтения" служит для ознакомления с работой. Разметка, таблицы и картинки документа могут отображаться неверно или не в полном объёме!

параметры схемы.

Коллекторное напряжение определяется из условия, что Выбираем .

Анализируя базу данных биполярных транзисторов можно выбрать транзистор КТ315А

Величина сопротивленияопределяется из следующих условий ;

. Выберем .

При этом для обеспечения амплитуды выходного импульса коллекторный ток равен: . 1. Величину сопротивлениярассчитываем так: . Выберем .

2. Сопротивлениеравно: . Выбираем .

3. Времязадающее сопротивлениедля коэффициента глубины насыщениярассчитывается, исходя из условия насыщения второго транзистора в исходном состоянии: . Принимаем .

4. Времязадающую ёмкостьопределяем для , так как : . Выбираем .

5. Сопротивления делителейиопределяются из условия запирания первого транзистора в начальном состоянии: . Выбираем . . Выбираем .

6. Уточнение величины восстановления схемы, определяется временем заряда конденсатора: . 7. Уточнение величины амплитуды напряжения: . После тестирования и настройки схемы методами САПР получены следующие значения элементов схемы: , , , , , , , 5. Расчёт контура ударного возбуждения (генерация колебаний заданной частоты)

Рис. 8 Схема контура ударного возбуждения Необходимо рассчитать генератор ударного возбуждения, обеспечивающий генерирование серии синусоидальных колебаний с частотой , и с амплитудой . Длительность серии колебаний .

Для получения колебаний максимальной амплитуды необходимо обеспечить прекращение тока через катушку индуктивности контура в течение времени, которое значительно меньше четверти периода собственных колебаний контура.

Время запирания транзистора определяется его постоянной времени, амплитудой импульса тока базы и начальным током коллектора, протекающим перед запиранием.

Чтобы токи запирания транзистора не были бы чрезмерно большими желательно использовать высокочастотные транзисторы с малой постоянной времени TF. Удовлетворительным можно считать условие TF


Интересная статья: Быстрое написание курсовой работы