Читать курсовая по информатике, вычислительной технике, телекоммуникациям: "Усилитель систем автоматики" Страница 5

(Назад) (Cкачать работу)

Расчёт на НЧ: Схема замещения: На НЧ появляется спад усиления за счет влияния разделительной емкости СР.

Допустимые частотные искажения на НЧ:

, разделительная емкость при этом будет равна:

, где

мкФ.

Возьмем СР с запасом 20…30 %, по ряду номиналов мкФ Расчёт делителя, входных сопротивления и ёмкости:

Эмиттерный повторитель охвачен 100% ООС. Сопротивление в цепи эмиттера по постоянному току достаточно велико и способствует хорошей термостабилизации каскада. Сопротивление зависит от сопротивления делителя в цепи базы и рассчитывается по формуле:

где: параметр характеризует сопротивление делителя по переменному току:

- статический коэффициент передачи тока базы.

– изменение обратного тока коллектора при изменении температуры.

– внутреннее изменение смещения на эмиттерном переходе (В для Si).

А – приращение тока коллектора вызванное температурным изменением B ().

– допустимое изменение тока в рабочей точке.

Исходя из известного сопротивления найдем значения параметра , а следовательно сопротивление делителя.

при , таким образом, кОм.

При таком сопротивлении точно не будет соблюдено условие

Сопротивления делителя рассчитаем исходя из условия получения максимального входного сопротивления при

Термостабильность каскада будет обеспечена с большим запасом

В,

В.

,

Ом,Ом

Выберем по ряду номиналов кОм, кОм

Входное сопротивление каскада:

, где Ом,

Входное сопротивление транзистора в схеме с ОК в F раз больше входного сопротивления схемы с ОЭ.

Ом

кОм

Входная емкость каскада:

пФ.

Схема каскада:

1.5 Расчёт второго каскада Второй каскад выполним по схеме ОЭ. Расчёт будем производить по той же методике, что мы использовали для расчета эмиттерного повторителя, но с некоторыми отличиями, так как сами схемы включения транзистора в каскаде различны.

Определим параметры по которым будем выбирать транзистор: Где Umвых = 0,75 В

Imвых = 0,002 АЭтим условиям соответствует транзистор КТ312А. Этот же транзистор мы использовали и в эмиттерном повторителе. Использование одного и того же транзистора позволит уменьшить спектр используемых, при будущем производстве усилителя, активных элементов, что технологически выгодно.

Найдём из рабочей точки и приращений токов и напряжений в ней, следующие параметры: Так как мы работаем на эмиттерный повторитель, то его входные параметры будут являться параметрами нагрузки для данного каскада:

Из нагрузочной прямой по постоянному току находим:

Ом

Произведем расчет термостабилизации каскада:

, где

- статический коэффициент передачи тока базы.

– изменение обратного тока коллектора при изменении температуры (а = 0,1…0,13 для Si).

В

– внутреннее изменение смещения на эмиттерном переходе (В для Si).

– приращение тока коллектора вызванное температурным изменением

B ().

мА

– допустимое изменение тока в рабочей точке

Параметр характеризует сопротивление

Похожие работы