Читать курсовая по всему другому: "Схемотехника імпульсних пристроїв" Страница 4

(Назад) (Cкачать работу)

При відкриванні транзистор переходить в активну область, де коефіціент струма Кі>1, в схемі БГ відбувається регенеративний процес, під час якого транзистор із активній області переходить в область насичення. В цьому стані Uк0, іб=Іб нас, . ік=Ік нас

Протилежно направлені напруги:

зростаюча напруга Uc, з полярністю (+) на базу і (-) на еміттер( воно прагне закрити транзистор, який знаходиться в стані насичення); постійна напруга U2, прикладена до базової обмотки ІТ, з полярністю протилежною Uc, вона утримує транзистор у відкритому і насиченному стані.

В момент часу, коли напруга на ємності Uc, зрівняється( по модулю) з напругою U2, напруга на базі транзистора: Uб=Uc-U2, стане рівною нулю і він із області насичення перейде в активну область( в момент t2). При цьому знову замкнеться коло додатнього зворотнього зв’язку, відбудеться процес регенерації, в результаті якого транзистор стрибком перейде в область відсікання, де іб0, ік0, а Uк-Eк.

Інтервал часу t=t2-t1, на протязі якого транзистор знаходиться в стані насичення, а напруга на його колекторі і обмотках ІТ залишається постійною, tі вважається тривалістю генеруємих імпульсів.

В момент t2, при скачкоподібному відсіканні струма колектора в колекторній обмотці ІТ, виникає ЕДС самоіндукції, яка, сумуючись з ЕДС джерела Eк, призводить до викіду напруги на колекторі, майже до подвійного значення Eк. При цьому запасена в обмотці Lк енергія WLкI2кн/2 з плином часу витрачається в Rш за рахунок протікання через нього і відкритий діод VD струму, виникаючого під дією ЕДС самоіндукції в котушці Lк.

На тривалість імпульса автоколивального БГ, окрім факторів, визначаючих її значення в режимі очікування, має вплив величина ємності часозадаючого конденсатора С.

Після закінчення імпульсу починається перезаряд ємності С через опір R і джерело напруги Eк. Напруга на конденсаторі С і на базі транзистора, змінюючись по експонеціальному закону, прагне до –Eк. Коли напруга на базі, пройдучи черех нуль, стає від’ємною, транзистор відкривається і починається регенеративний процес. Таким чином схема автоматично повертається в стан, з якого почався аналіз фізпроцесів в ній, а далі процеси повторюються.

Преіод повторення Т0, як видно з мал. 7.6, визначається тривалістю генеруємих імпульсів і часом розряду конденсатору С. Зазвичай tі

Похожие работы