Читать курсовая по физике: "Расчет параметров ступенчатого p-n перехода" Страница 1


назад (Назад)скачать (Cкачать работу)

Функция "чтения" служит для ознакомления с работой. Разметка, таблицы и картинки документа могут отображаться неверно или не в полном объёме!

Министерство образования Российской Федерации Орловский Государственный Технический Университет Кафедра физики

КУРСОВАЯ РАБОТА

на тему: «Расчет параметров ступенчатогоp-n перехода» Дисциплина: «Физические основы микроэлектроники» Выполнил студент группы 3–4Сенаторов Д.Г.

Руководитель:

Оценка:

Орел. 2000

Орловский Государственный Технический Университет

Кафедра: «Физика»

ЗАДАНИЕ НА курсовую работу

Студент: Сенаторов Д.Г. группа 3–4

Тема: «Расчет параметров ступенчатого p-n перехода»

Задание: Рассчитать контактную разность потенциалов k в p-n-переходе.

Исходные данные для расчета приведены в таблице №1.

Таблица 1. Исходные данные.

Наименование параметра

Единицы измерения.

Условное обозначение

Значение в единицах системы СИ

Абсолютная величина результирующей примеси в эмиттере

м-3

NЭ

1,51025

Абсолютная величина результирующей примеси в базе

м-3

NБ

1,81022

Диэлектрическая постоянная воздуха

Ф/м

0

8,8510-12

Заряд электрона

Кл

e

1,610-19

Относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника

Ф/м

16

Постоянная Больцмана

Дж/К

k

1,3810-23

Равновесная концентрация дырок в n-области

м-3

pn0

1010

Равновесная концентрация дырок в p-области

м-3

np0

1,1109

Собственная концентрация носителей заряда

м-3

ni

51014

Температура окружающей среды

K

T

290

ОГЛАВЛЕНИЕ.

ВВЕДЕНИЕ4.

ЧАСТЬ I. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ6.

1.1 Понятие о p-n переходе6.

1.2 Структура p-n перехода10.

1.3 Методы создания p-n переходов15.

1.3.1 Точечные переходы15.

1.3.2 Сплавные переходы16.

1.3.3 Диффузионные переходы17.

1.3.4 Эпитаксиальные переходы18.

1.4 Энергетическая диаграмма p-n перехода в равновесном

состоянии20.

1.5 Токи через p-n переход в равновесном состоянии23.

1.6 Методика расчета параметров p-n перехода26.

1.7 Расчет параметров ступенчатого p-n перехода29.

ЧАСТЬ II. Расчет контактной разности потенциалов k в p-n-переходе 31.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ32.

ПРИЛОЖЕНИЕ33.

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ35. ВВЕДЕНИЕ. Полупроводники могут находиться в контакте с металлами и некоторыми другими материалами. Наибольший интерес представляет контакт полупроводника с полупроводником. Этот интерес вызван следующими двумя обстоятельствами. В случае контакта метал–полупроводник выпрямляющими свойствами контакта можно управлять с помощью только одной из половин контакта, а именно, со стороны полупроводника. Это видно хотя бы из того факта, что весь запирающий (или антизапирающий1) слой лежит в полупроводниковой области и его толщину, а значит, и ток можно регулировать концентрацией носителей n0, т.е. выбором типа кристалла, легированием полупроводника, температурой, освещением и т.д. Второе обстоятельство заключается в том, что практически поверхности металла и полупроводника никогда не образуют идеального контакта



Интересная статья: Быстрое написание курсовой работы