Читать курсовая по физике: "ДИФРАКЦИОННЫЙ КОНТРАСТ" Страница 1

назад (Назад)скачать (Cкачать работу)

Функция "чтения" служит для ознакомления с работой. Разметка, таблицы и картинки документа могут отображаться неверно или не в полном объёме!

Московский Авиационно-Технологический Институт

(МАТИ-РГТУ)

им. К.Э.ЦИОЛКОВСКОГО

КУРСОВАЯ РАБОТА

ПОДИСЦИПЛИНЕ

«РЕНТГЕНОГРАФИЯ И КРИСТАЛЛОГРАФИЯ» НА ТЕМУ:

ДИФРАКЦИОННЫЙ КОНТРАСТ Студент:

Группа: 3КМ-4-76

Москва 2004 г. СОДЕРЖАНИЕ

1. Введение

2. Амплитудный контраст

2.1 Контраст плотности и толщины

2.2 Z-контраст

3. Фазовый контраст

3.1 Контраст кристаллической решетки

3.2 Контраст муара

3.3 Френелевский контраст

3.4 Контраст стенок доменов

4. Заключение

5. Список литературы

1. ВВЕДЕНИЕ Основными задачами просвечивающей электронной микроскопии в исследованиях металлов и металлических материалов являются:

    Анализ элементарных дефектов кристаллического строения (дислокаций, дислокационных петель и дефектов упаковки в плотноупакованных структурах), а так же сложных дефектов и дефектов объемного характера. Анализ выделяющихся в гетерогенных сплавах частиц и разных включений (в том числе газовых пузырей и пустот) в материалах, подвергнутых, например, старению , облучению, диффузионному отжигу. Во всех применениях дифракционной микроскопии очень важно сопоставление картин дифракции с микрофотографиями. В картинах дифракции особый интерес представляют эффекты диффузного рассеяния, именно с ними могут быть связаны эффекты контраста на микрофотографиях; рефлексы и другие особенности дифракционной картины сравнивают с элементами микроструктуры с помощью темнопольных фотографий. Среди задач дифракционной электронной микроскопии следует выделить анализ доменной структуры ферромагнетиков и сегнетоэлектриков.

Контраст (C) определяется как разница в интенсивности (∆I) между двумя соседними областями:

С = (I1-I2)/I2 = ∆I/I2. Контраст подразделяется на две основных категории - амплитудный и фазовый.

2. Амплитудный контраст Амплитудный контраст, связанный с вариацией плотности и/или толщины, обусловлен некогерентным (резерфордовским) рассеянием электронов, сечение которого сильно зависит от Z атома, а полная интенсивность - от плотности вещества и толщины образца. Сечение сильно направлено вперед и в пределах 5° весьма низка и полностью определяется некогерентным рассеянием, который зависит только от Z. Эту область называют областью Z-контраста. 2.1 Контраст плотности и толщины На рис.1 показаны изображения частиц латекса на углеродной пленке. Полагая, что латекс в основном углерод, образец однороден по Z, но неоднороден по толщине t. Поэтому частицы латекса более темные в прямом пучке, чем окружающая пленка, рис.1, однако форма остается неизвестной.

Рис.1

С помощью напыления тонкого слоя металла (Au, Au-Pd) под некоторым углом к поверхности создается эффект затенения, который в ПЭМ за счет контраста массы (или плотности, а точнее за счет отличия в Z) позволяет выявить сферическую форму частиц, наиболее отчетливо проявляющуюся при инвертировании изображения (рис.1 в).

Контраст плотности и толщины является основным для


Интересная статья: Основы написания курсовой работы