Московский Авиационно-Технологический Институт
(МАТИ-РГТУ)
им. К.Э.ЦИОЛКОВСКОГО
КУРСОВАЯ РАБОТА
ПОДИСЦИПЛИНЕ
«РЕНТГЕНОГРАФИЯ И КРИСТАЛЛОГРАФИЯ» НА ТЕМУ:
ДИФРАКЦИОННЫЙ КОНТРАСТ Студент:
Группа: 3КМ-4-76
Москва 2004 г. СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение | |
2. Амплитудный контраст | |
2.1 Контраст плотности и толщины | |
2.2 Z-контраст | |
3. Фазовый контраст | |
3.1 Контраст кристаллической решетки | |
3.2 Контраст муара | |
3.3 Френелевский контраст | |
3.4 Контраст стенок доменов | |
4. Заключение | |
5. Список литературы |
1. ВВЕДЕНИЕ Основными задачами просвечивающей электронной микроскопии в исследованиях металлов и металлических материалов являются:
Анализ элементарных дефектов кристаллического строения (дислокаций, дислокационных петель и дефектов упаковки в плотноупакованных структурах), а так же сложных дефектов и дефектов объемного характера. Анализ выделяющихся в гетерогенных сплавах частиц и разных включений (в том числе газовых пузырей и пустот) в материалах, подвергнутых, например, старению , облучению, диффузионному отжигу. Во всех применениях дифракционной микроскопии очень важно сопоставление картин дифракции с микрофотографиями. В картинах дифракции особый интерес представляют эффекты диффузного рассеяния, именно с ними могут быть связаны эффекты контраста на микрофотографиях; рефлексы и другие особенности дифракционной картины сравнивают с элементами микроструктуры с помощью темнопольных фотографий. Среди задач дифракционной электронной микроскопии следует выделить анализ доменной структуры ферромагнетиков и сегнетоэлектриков.
Контраст (C) определяется как разница в интенсивности (∆I) между двумя соседними областями:
С = (I1-I2)/I2 = ∆I/I2. Контраст подразделяется на две основных категории - амплитудный и фазовый.
2. Амплитудный контраст Амплитудный контраст, связанный с вариацией плотности и/или толщины, обусловлен некогерентным (резерфордовским) рассеянием электронов, сечение которого сильно зависит от Z атома, а полная интенсивность - от плотности вещества и толщины образца. Сечение сильно направлено вперед и в пределах 5° весьма низка и полностью определяется некогерентным рассеянием, который зависит только от Z. Эту область называют областью Z-контраста. 2.1 Контраст плотности и толщины На рис.1 показаны изображения частиц латекса на углеродной пленке. Полагая, что латекс в основном углерод, образец однороден по Z, но неоднороден по толщине t. Поэтому частицы латекса более темные в прямом пучке, чем окружающая пленка, рис.1, однако форма остается неизвестной.
Рис.1
С помощью напыления тонкого слоя металла (Au, Au-Pd) под некоторым углом к поверхности создается эффект затенения, который в ПЭМ за счет контраста массы (или плотности, а точнее за счет отличия в Z) позволяет выявить сферическую форму частиц, наиболее отчетливо проявляющуюся при инвертировании изображения (рис.1 в).
Контраст плотности и толщины является основным для
Похожие работы
Тема: Дифракционный контраст |
Предмет/Тип: Математика (Реферат) |
Тема: Цветовой контраст |
Предмет/Тип: Культурология (Реферат) |
Тема: Цветовой контраст |
Предмет/Тип: Культурология (Реферат) |
Тема: Контраст как средство достижения композиционной выразительности |
Предмет/Тип: Культурология (Курсовая работа (т)) |
Тема: «Кинетический фазовый контраст в атомно-силовой микроскопии» |
Предмет/Тип: Другое (Реферат) |
Интересная статья: Основы написания курсовой работы