- 1
- 2
- 3
- 4
- . . .
- последняя »
способностью в той или иной степени проводить электрический ток. Это свойство характеризуется значением идеальной проводимости
ИдеальныйДиэлект-ПолупроводникиПолупроводники
диэлектрикрикИдеальный
проводник Такое деление весьма условное, особенно между ПП и диэлектриками (принципиальных различий нет). Что касается различий между металлами и полупроводниками, то различия здесь более принципиальные.
В настоящее время, наиболее широкое применение в интегральной технологии получил ПП – кремний. Поэтому, в дальнейшем, все примеры, кроме особо оговоренных, основаны на свойствах кремния.
Подавляющее большинство полупроводников (за исключением т.н. аморфных ПП) имеют ярко выраженную кристаллическую структуру и представляют собой в основном монокристаллы. Так простейшая кристаллическая решётка Si – куб. В вершинах куба (для тетраэдра и в центрах граней) находятся атомы Si. Известно, что Si – 4-х валентный т.е. 4 электрона внешней оболочки отсутствуют. Такой уровень является энергетически неустойчивым и атом Si пытается захватить 4 недостающие е с рядом находящихся аналогичных атомов, в свою очередь заимствуя им свои внешние е. При этом возникают специфичные обменные силы, обусловленные по парным объединением валентных е соседних атомов. Такая связь называется ковалентной (или просто валентной).
Si----
----
--
Si Si----
----
---- --
--
Si|
Si----
Si----
Si+
--
----
-- --
Siа)
b)----
Т.к. структура кристалла регулярна, то это приводит к анизотропии - зависимости свойств от направления. Ориентация кристалла задаётся с помощью кристаллографических осей и перпендикулярных им кристаллографических плоскостей. Эти оси и плоскости обозначаются трёхзначными индексами Миллера ( оси [], плоскости () ).
Z(110)
3|2[101]
41(100)
(111)
7X[100]
6[111]
Ya)b)c) Каждой кристаллографической плоскости соответствует различная плотность _________ атомов, поэтому и различие в свойствах.1,42,343241,321,8
5,67,85756,87
6а)b)c) НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА В ПП.
Электропроводность вещества объясняется наличием свободных носителей заряда, которые могут перемещаться в объёме вещества, либо под воздействием поля, либо при наличии градиента их концентрации в веществе (стремление к выравниванию концентрации).
Как же образуются свободные носители заряда в ПП?
Идеальный ПП при Т = абсолютному нулю (ПП не имеет дефектов кристалла, поэтому валентные е всех атомов участвуют в ковалентных связях, т.е. они не свободные) является идеальным диэлектриком. При повышении Т(*) электроны приобретают дополнительную энергию и в конечном итоге некоторые ковалентные связи разрываются, образуя свободные е и незаполненную связь – «дырку» вблизи атома
- 1
- 2
- 3
- 4
- . . .
- последняя »
Похожие работы
Тема: Элементы квантовой механики |
Предмет/Тип: Физика (Контрольная работа) |
Тема: Элементы квантовой механики |
Предмет/Тип: Математика (Курсовая работа (т)) |
Тема: Принципы квантовой механики |
Предмет/Тип: Математика (Реферат) |
Тема: Постулаты квантовой механики |
Предмет/Тип: Химия (Реферат) |
Тема: Принципы квантовой механики |
Предмет/Тип: Физика (Реферат) |
Интересная статья: Быстрое написание курсовой работы