- 1
- 2
- 3
- . . .
- последняя »
Оглавление 1. Введение
. Литературный обзор:
.1 Спинтроника
.2 Спиновые токи в структурах GaAs/Fe
.3 Применение оксида магния
.4 Метод рентгеновского рассеяния
.5 Метод рентгеновской рефлектометрии
. Экспериментальные методики:
.1 Измерение индикатрис рассеяния
.2 Измерение кривых отражения
. Результаты исследований наноструктур:
.1 Исследование туннельных барьеров MgO
.2 Исследование структур GaAs/MgO/Fe
. Заключение
. Список литературы 1. Введение Одним из основных направлений развития микроэлектроники является уменьшение размеров элементов интегральных микросхем (топологической нормы), сопровождающееся увеличением числа элементов в схеме. Очевидно, что данный процесс не может продолжаться бесконечно из-за технологических ограничений. Для возможности дальнейшего развития требуется применение новых иных физических эффектов, одним из которых является использование для передачи цифровых сигналов фундаментального свойства электрона - спина. Это позволит избежать ограничений, связанных с ёмкостной постоянной времени, тем самым увеличив производительность, и снизить резистивные напряжение, сопровождающиеся накоплением тепла [1]. Данное направление развития микроэлектроники получило название спинтроника. Простейшие устройства спинтроники представляют собой пленочные структуры, использующие эффект гигантского магнетосопротивления (GMR) и эффект туннельного магнетосопротивления (TMR), которые возможно адаптировать для применения в электронной промышленности [2].
Среди актуальных проблем спинтроники можно выделить низкую эффективность инжекции спин-поляризованных электронов в полупроводник. Основными причинами является несовершенство границ раздела, несоответствие кристаллических решеток и проводимостей материалов. Для преодоления данной проблемы планируется использовать наноструктурированные туннельные барьеры MgO между ферромагнитным инжектором и полупроводником. При спин-зависимом туннелировании теоретически и экспериментально показано увеличение эффективности поляризации [3, 4]. Предполагается, что туннельный барьер устранит несоответствие кристаллических решеток, проводимостей, уменьшит взаимодиффузию материалов [5, 6] и даст возможность достичь относительно большой спиновой поляризации инжектируемых электронов.
Настоящая работа является частью международного проекта, посвященного моделированию, созданию и изучению параметров тонкопленочных наноструктур с барьерным слоем MgO [7]. Инициатором проекта является исследовательская группа Физического факультета и центра микроструктур Гамбургского университета, Германия. Группа имеет научный и технический задел в области создания и исследования металлических и полупроводниковых покрытий наноразмерной толщины. Оборудование, имеющееся в центре микроструктур позволяет не только получать структуры требуемой толщины, но и изготовлять прототипы микроэлектронных устройств, при этом проводя электрические измерения их параметров, в том числе под влиянием внешнего магнитного поля. Результаты, полученные группой Гамбургского университета, представлены в разделе 2. Стороны-участники проекта представлены следующими организациями: Технологический университет г. Жешув, Польша; Институт
- 1
- 2
- 3
- . . .
- последняя »
Похожие работы
Интересная статья: Быстрое написание курсовой работы