Читать другое по деталям машин: "Развитие технологии МОП ИС" Страница 1

(Назад) (Cкачать работу)

Содержание

Стр. Введение Схемы на МОП (металл - окисел - полупроводник) - транзисторах составляют в настоящее время значительную часть изделий, выпускаемых электронной про­мышленностью. На их основе строится большинство интеграль­ных схем с сверх большой (СБИС) и большой степенью интеграции. Схемы на МОП - транзисторах занимают доминирующее поло­жение при создании таких функционально законченных изделий, как постоянные и оперативные запоминающие устройства, микроконтроллеры, микропроцессоры, АЦП, ЦАП и т.д.

Благодаря своей высокой надежности и большой функцио­нальной сложности МОП СБИС позволяют строить более дешевую аппаратуру. При равной функциональной сложности они имеют меньшие геометрические размеры, чем схемы на би­полярных транзисторах, а процесс их изготовления, как пра­вило, проще, чем технология схем на биполярных приборах. Значительным достоинством МОП ИС является и то, что их применение в устройствах позволяет повысить надеж­ность и сложность последних, а также предсказывать параметры разрабатываемых на их основе систем [1].

Развитие технологии изготовления МОП ИС позволило повысить скорость работы цифровых микросхем, которые в настоящее время строятся на МОП транзисторах и уменьшить при этом габаритные размеры микросхем.

В работе рассматриваются основные этапы технологии, используемые при изготовлении МОП – транзисторов и тенденция развития технологии. 1 Развитие МОП ИС Принцип работы полевого транзистора (МОП - транзистора) был известен ещё до появления биполярного транзистора. Однако лишь недавно, благодаря достижению стабильности и контролируемости технологического процесса МОП БИС стали реальностью.

Согласно литературным источникам, первые попытки построить активный полупроводниковый прибор, основанный на эффекте поля, были предприняты Лилиефельдом в начале 30 – х гг. О. Хейл запатентовал свое открытие в Великобритании в 1935 г. Первая действующая модель униполярного полевого транзистора была разработана фирмой Bell Telephone Laboratories, где в 1948 г. Бардиным и Бреттейном был открыт транзисторный эффект. Ученые наблюдали этот эффект в серии экспериментов по модуляции тока, протекающего через точеч­ные контакты с кристаллом германия. Их открытие проложило дорогу к разработке точечных транзисторов и к изобретению биполярных транзисторов, работа которых в большей степени основаны на инжекции неосновных носителей заряда, чем на полевом эффекте. Затем внимание исследователей переключи­лось на эти два типа биполярных транзисторов, и развитие полевых транзисторов фактически приостановилось.

В 1952 г. Шокли описал полевой транзистор с управляю­щим обратно смещенным р - n - переходом. Такие полевые тран­зисторы были впоследствии изготовлены и исследованы Декеем и Россом, которые в 1955 г. аналитически определили предель­ные параметры подобных транзисторов. Однако первые по­пытки изготовить полевой МОП - транзистор оказались безуспеш­ными, поскольку не удавалось получить контролируемую и ста­бильную поверхность.

В 1958 г. появилась первая монолитная ИС с биполярными плоскостными транзисторами.

Важным достижением в полупроводниковой технике явилась разработка в начале 60-х гг. кремниевой планарной технологии. Выращивание, травление и повторное

Похожие работы