Читать диссертация по физике: "Разработка и исследование источника опорного напряжения для технологии КНИ с проектными нормами 0,18 мкм" Страница 1

(Назад) (Cкачать работу)

Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

"Национальный исследовательский университет "МИЭТ"

Институт проектирования приборов и систем

Факультет "Электроники и компьютерных технологий"

Кафедра "Интегральной электроники и микросистем"

"Электроника и наноэлектроника" Диссертация на соискание степени магистра

Разработка и исследование источника опорного напряжения для технологии КНИ с проектными нормами 0,18 мкм Консультант:

Шишина Л.Ю.,

к.т.н., доц. каф. ИЭМС МИЭТ

Соискатель: Иванов В.Г. Москва, 2014 Оглавление

источник опорный напряжение питание

Список сокращений

Введение

1.1 КНИ структура

.2 Диод

.3 Источники опорного напряжения

.3.1 Характеристики источников опорного напряжения

.3.2 Основные подходы

.3.3 Построение PTAT генераторов

.3.4 Примеры простейших электрических схем ИОН с выходным напряжением, равным ширине запрещённой зоны

Выводы по главе 1

Глава 2. Теоретический анализ работы схемы

.1 Ядро бандгапа

.2 Операционный усилитель

.3 Схема источника опорного напряжения, равного ширине запрещённой зоны

.4 Реакция схемы на изменение температуры

.5 Реакция схемы на изменение напряжения питания

Выводы по главе 2

Глава 3. Моделирование параметров источников опорного напряжения

.1 Моделирование параметров ИОН без технологического ухода

.2 Измерение параметров устройств при технологическом уходе

Выводы по главе 3

Заключение

Литература

Русскоязычные сокращения:

ВАХ - вольт-амперная характеристика

ИОН - источник опорного напряжения

КНИ - кремний на изоляторе

МОП - металл окисел полупроводник

НПВН - нестабильность по входному напряжению

НПТН - нестабильность по току нагрузки

СОЗУ - сверхбыстрое оперативное запоминающее устройство

ТКН - температурный коэффициент напряжения

Англоязычные сокращения:

CTAT - Complementary to Absolute Temperature- полностью обеднённый- частично обеднённый- Proportional to Absolute Temperature

SOI - полупроводник на изоляторе

Источники опорного напряжения являются важной частью любой электронной системы. Очень важно, чтобы на элементы подавалось опорное напряжение, имеющее стабильное значение в заданном диапазоне температур. Так же, очень важно, чтобы источник опорного напряжения был мало восприимчив к изменению напряжения питания. Так как основной источник питания идёт не только на источник опорного напряжения, но и другие элементы, то возникает дребезг питания. Потому растёт важность способности подавления шума питания. Источники с высокой точностью применяются в АЦП с большой разрядностью. Но для большинства задач достаточно иметь источники со средними показателями точности. Ниже точность - меньше схема, следовательно, меньше потребляемый ток.

В данной работе будут рассмотрены несколько вариантов схем источника опорного напряжения, равного ширине запрещённой зоны. Все эти схемы относятся к простым схемам. Проведён анализ основных подходов проектирования ИОН: с использованием Зенеровского диода, применение транзисторов со встроенным и

Похожие работы