Читать диплом по информатике, вычислительной технике, телекоммуникациям: "Исследование оптических свойств лазера накачки" Страница 1

(Назад) (Cкачать работу)

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

«КУБАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»

(ФГБОУ ВПО «КубГУ»)

Физико-технический факультет

Кафедра оптоэлектроники Допустить к защите в ГАК

Заведующий кафедрой

д-р техн. наук, профессор

_______________Н. А. Яковенко ВЫПУСКНАЯ КВАЛИФИКАЦИОННАЯ РАБОТА БАКАЛАВРА

исследование оптических свойств лазера накачки Работу выполнил________________________ Бухальцов Алексей Викторович

Направление 11.03.02 Инфокоммуникационные технологии и системы связи

Научный руководитель

канд. физ.-мат. наук, доцент ____________________________ В. В. Галуцкий

Нормоконтролер инженер __________________________ И. А. Прохорова Краснодар 2015

Реферат Выпускная квалификационная работа 49 с., 19 рис., 1 табл., 16 источников.

Полупроводниковый лазер накачки, температурная подстройка, иттербий, эрбий

Объектом разработки данной выпускной квалификационной работы является кристаллы, активированный иттербием и эрбием и система полупроводниковой лазерной накачки, предназначенные для формирования оптического сигнала на длине волны 1,55 мкм.

Целью работы является исследование температурной подстройки по длине волны полупроводникового лазера накачки «ЛАТУС-К»

В результате выполнения выпускной квалификационной работы

- собрана экспериментальная установка для исследования температурной зависимости спектров излучения полупроводникового лазера накачки;

- построена температурная зависимость максимума излучения, полуширины линии излучения, интегральной интенсивности излучения;

- оценена эффективность согласования линии излучения лазера накачки с линиями поглощения кристаллов с иттербием и эрбием.

Содержание Введение

. Эрбиевые усилители оптического сигнала

.1 Принцип работы EDFA

.2 Оптическая схема эрбиевого волоконного усилителя

.3 Основные параметры волоконных усилителей

.3.1 Коэффициент усиления

.3.2 Выходная мощность сигнала и энергетическая эффективность накачки

.3.3 Шум-фактор

.3.4 Ширина и равномерность полосы усиления

. Полупроводниковый лазер накачки «ЛАТУС-К»

.1 Конструкция лазера накачки

.2 Требования к мощному полупроводниковому лазеру накачки

. Экспериментальная часть

.1 Оптическая схема измерений

.2 Обработка спектров излучения

Заключение

Список использованных источников Введение В настоящее время существует целый класс оптических квантовых устройств в сфере телекоммуникаций, одним из наиболее распространенных является, несомненно, эрбиевый волоконный усилитель (EDFA). Усиление света в EDFA происходит в диапазоне длин волн 1,55 мкм, как раз в области минимальных потерь кварцевого оптического волокна.

В настоящее время длина современных волоконно-оптических линий связи достигает нескольких тысяч километров, а сигнал передатчика снижается на 30..40 дБ на расстоянии 130..160 км [1]. Для увеличения мощности на входном конце линии на 25..30 дБ применяют квантовые усилители, а для восстановления сигнала на линии до уровня 1..10 дБм применяют усилители-ретрансляторы. Для этой цели используют EDFA с накачкой полупроводниковым лазером. Кроме того, для увеличения

Похожие работы