Читать реферат по электротехнике: "Расчет и проектирование в тонкопленочном исполнении усилителя мощности" Страница 1


назад (Назад)скачать (Cкачать работу)

Функция "чтения" служит для ознакомления с работой. Разметка, таблицы и картинки документа могут отображаться неверно или не в полном объёме!

ВПУ-313.

Предмет: Проектирование РЭА.

Группа: РА-6.

КУРСОВОЙ ПРОЕКТ.

На тему: Расчет и проектирование в тонкопленочном

исполнении схемы усилителя мощности.

Учащегося: Короткова Е. В.

Преподаватель:

Даниелян В.С.

Дата выдачи задания:Дата окончания проектирования:

Москва 1997г.

Схема усилителя мощности.

Эта схема представляет собой усилитель мощности на биполярном транзисторе, включенном по схеме с ОЭ. Переходной конденсатор C1 пропускает во входную цепь переменную составляющую напряжения источника сигнала и не пропускает постоянную составляющую. Блокирующий конденсатор C2 шунтирует резистор R4 по переменному току, исключая тем самым отрицательную обратную связь по переменным составляющим. Отсутствие конденсатора C2 привело бы к уменьшению усиления каскада. В области низших частот на работу усилителя оказывают влияние переходной и блокирующий конденсаторы, в области высших частот – частотная зависимость коэффициента тока базы, коллекторная емкость и емкость нагрузки.

Описание элементов.

Резисторы:

R1 =2200 ОмR2 =480 ОмR3 =4500 ОмR4 =120 Омh =100 мкмbтехн= 100 мкм

l= 100 мкмb= 100 мкмR1= 10%R2= 0,9%R3= 7,2%R4= 0,9%

s= 0,4%sопт= 300 Ом /P1 =50 мВтP2 =25 мВтP3 = 7мВтP4 =25 мВт

Конденсаторы:

С1= 80 пфС2= 2200 пфUраб= 10 вСо= 20 пф/мм*мм

 =5,2tg= 0,002Кз= 3

Tmax= 60 Cc= 3%l= 25 мкм

Выбор метода изготовления тонкопленочной ГИМС.Исходя из данных видно, что погрешность изготовления резисторов и конденсаторов не более 10%. Для изготовления схемы усилителя мощности выбираем метод фотолитографии, т. к. этот метод дает более высокую точность изготовления ГИМС и более высокий процент выхода годных изделий при серийном и крупносерийном производстве.

Расчет конденсаторов.

    Выбор материала диэлектрика.

Выбор материала диэлектрика производят по таблице 3, исходя изисходных данных.Для C1 – электровакуумное стекло C 41 - 1.Для C2 – электровакуумное стекло C 41 - 1.Материалом обкладок для этих конденсаторов будет Al.

    Определение уточненной толщины диэлектрика.

d=0,0885*/Cod=0,02301 мм

    Определение площади перекрытия обкладок конденсаторов.

S=C/Co*КзSС1=20 мм*ммSС2=550 мм*мм

    Определение размеров обкладок конденсаторов.

Размеры верхних обкладок конденсаторов будут равны:__lв.о.= bв.о.= Slв.о.С1= bв.о.С1=4,472 ммlв.о.С2= bв.о.С2=23,452 ммРазмеры нижних обкладок конденсаторов, с учетом допусков наперекрытие, будут равны:lн.о.=bн.о.= lв.о.+2(l+g)lн.о.С1=bн.о.С1=4,922 ммlн.о.С2=bн.о.С2=23,902 мм

    Определение размеров межслойного диэлектрика.

lд/э= bд/э =lн.о.+ 2(l+f)lд/э С1=bд/э С1=5,372 ммlд/э С2=bд/э С2=24,352 мм

    Определение площади, занимаемой конденсаторами, по размерам диэлектрика.

S = lд/э* bд/эSС1 = 28,858 мм*ммSС2 = 593.0199 мм*мм

Расчет резисторов.

    Выбор материала резистивной пленки.

Для R1 - нихром X20H80.Для R2 - нихром X20H80.Для R3 - нихром X20H80.Для R2 - нихром X20H80.Проверим, правильно ли выбран материал резистивного слоя.ф = R/R*100 - s/s*100;ф1 = 0,3212ф2 = 0,0542ф3 = 0,0267ф4 = 0,6167Резистивный материал выбран верно т.к. ф1;  ф 2;  ф 3;  ф 4 > 0Вкачестве материала контактных площадок используем Cu.

    Определение



Интересная статья: Быстрое написание курсовой работы