Читать реферат по электротехнике: "ТИРИСТОРЫ И НЕКОТОРЫЕ ДРУГИЕ КЛЮЧЕВЫЕ ПРИБОРЫ" Страница 8

(Назад) (Cкачать работу)

На начальном участке мы имеем по существу семейство характерис­тик обычного транзистора в схеме ОЭ.

Координаты точек прямого переключения определяются, как и в динисторе, условием dUk/dIk, == 0. Анализ показывает, что ток Iп.п возрастает с увеличением тока базы.

На рис. 7 показана пусковая характеристика тринистора, т. е. зависимость Uп.п (Iб).

Координаты точки Н, в которой напряжение на коллекторном переходе П2 падает до нуля, определяются условием Uk = 0 в формуле (11).

Так же как в динисторе, можно в этой точке считать a @ 1 и опре­делять ток Iн из условия

a=a1(Iн + Iб)+ a3(Iн)==1.(12)

Отсюда видно, что увеличение тока Iб, а значит, и коэффициента a1 сопровождается уменьшением коэффициента a3, а значит, и тока Iн. Соответственно несколько меньше будет и ток Io.п в точке обратного переключения.

Параметры тринистора в открытом состоянии практически не отличаются от параметров динистора, поскольку ток Ik в этой области значительно больше тока Iб, и поэтому токи обоих крайних переходов почти одинаковы.

Рис. 7. Пусковая характеристика тринистора До сих пор мы рассматривали кривые с параметром Iб >0. При этом подразумевалось, что источник базового тока представляет собой э. д. с. Eб 0) (рис. 8). Пусть э. д. с. Eб достаточно велика и эмиттерный переход заперт. Тогда тринистор превращается в транзистор п1-р2-п2 (с оборванной базой p2), который включен последовательно с сопротивлением Rб и питается напряжением Eб + Uk. Коллекторный ток при таком включении будет током транзистора в схеме ОЭ с оборван­ной базой:

Ik=MIk0/(1-Ma3)

где a3 - коэффициент передачи тока от перехода П3 к переходу П2. Реальное запирающее смещение на эмиттерном пере­ходе будет меньше, чем э. д. с. Eб, на величину Ik Rб. С ростом тока Ik смеще­ние будет уменьшаться, и при некотором токе I0, когда Eб - I0Rб = 0, эмиттерный переход отопрется. После этого базовый ток будет иметь неизменную отрицательную величину:Рис. 8. Вольт-амперные характеристики тринистора при отрицательном токе базы. Iб= -I0= -Eб/Rб(13)

которую можно считать параметром соответствующей характеристики. Если в формуле (11) положить a1=0 и a= a3 и подставить Ik = I0, можно получить напряжение отпирания эмиттерного перехода:

U0 =UM [1-(a3 I0 + Ik0)/ I0]1/n(14)

Из формулы (13) видно, что ток I0, равный параметру кривой (току Iб), возрастает вместе с модулем параметра. Что касается напря­жения U0, то оно несколько увеличивается.

Ток обратного переключения можно найти из уравнения (12), если считать Iн@Iо,п В случае малых отрицательных токов базы ток Iо,п заметно больше тока I0@ôIбô. При больших токах ôIбô эта разница уменьшается. Отношение Iо,п/ôIбô можно назвать коэф­фициентом усиления при выключении; он определяется .величиной а1/(а-1) и в обычных тринисторах не превышает (1). Очевидно, что с точки зрения управляемости при запирании суммарный коэффициент передачи а не следует делать намного большим единицы.

На рис. 9, а показана типичная схема включения тринистора, а на рис. 9, б - ее рабочий цикл. Пусть Ek

Похожие работы