Читать реферат по электротехнике: "Применение гетеропереходов в оптоэлектронике" Страница 1

(Назад) (Cкачать работу)

Нижегородский Государственный Технический Университет Реферат по курсу

"Электронные твердотельные приборы" тема: "Применение гетеропереходов в оптоэлектронике" Выполнили студенты группы 94-ФОС

Куликов А.В.

Макаров Д.М.

Проверил преподаватель:

Штернов A.A. 1996 г. Содержание. Введение.....................................................

Гетеропереход. Физические основы...........

Применение гетеропереходов.

Излучатели.

Инжекционный лазер...................

Светоизлучательный диод............

Исскуственные квантовые

ящики................

Приемники.

Фотодиод......................................

Фототранзистор............................

Заключение................................................. Введение.Оптоэлектроника - это раздел электроники, связанный главным образом с изучением эффектов взаимодействия между электромагнитными волнами оптического диапазона и электронами вещества (преимущественно твердых тел) и охватывающий проблемы создания оптоэлектронных приборов (в основном методами микроэлектронной технологии), в которых эти эффекты используются для генерации, передачи, хранения и отображения информации.

Техническую основу оптоэлектроники определяют конструктивно- технологические концепции современной электроники: миниатюризация элементов; предпочтительное развитие твердотельных плоскостных конструкций; интеграция элементов и функций; ориентация на специальные сверхчистые материалы; применение методов групповой обработки изделий, таких как эпитаксия, фотолитография, нанесение тонких пленок, диффузия , ионная имплантация, плазмохимия и др.

Исключительно важны и перспективны для оптоэлектроники гетероструктуры, в которых контактируют (внутри единого монокристалла) полупроводники с различными значениями ширины запрещеной зоны.Гетеропереход. Физические основы.Если n- и p-область перехода изготовлены из различных полупроводников, то такой переход называется гетеропереходом. Отличие

от обычного перехода более тонко в том случае, когда полупроводники взаиморастворимы, а переход плавный. Переходы последнего типа иногда называют "квазигомопереходами". Таким образом, плавные переходы между n-ZnSe и p-ZnTe или между p-GaAs и n-GaР являютcя квазигомопереходами.

Одной из причин обращения к гетеропереходам является возможность получить высокоэффективную инжекцию неосновных носителей в узкозонный полупроводник, т.е. суперинжекция, заключающаяся в том, что концентрация инжектированных в базу носителей может на несколько порядков превысить их равновесное значение в змиттерной области (см. рис. 1). Это означает, что стремление получить g=1 в широком интервале изменения прямого тока не накладывает каких-либо ограничений на вид и концентрацию легирующей примеси в эмиттерной и базовой областях - у разработчика оптоэлектронных приборов появляетсялишняя"степень свободы".Рис. 1.Это свойство гетеропереходов легко понять из рассмотрения рис.2. Когда прямое смещение выравнивает валентную зону, дырки нжектируются в n-область. Инжекции же электронов из n-области в p-область препятствует барьер DE = Еg1 - Еg2(см. рис. 2).а)б)

Рис.2.Идеальная зонная схема для гетероперехода.

а) - в условиях равновесия; б) - при прямом смещении V Очевидно, что в этом случае излучательная рекомбинация будет происходить

Похожие работы