Читать реферат по банковскому делу: "Работа транзистора при больших уровнях сигнала" Страница 1

(Назад) (Cкачать работу)

1. Работа транзистора при больших уровнях сигнала 1.1 Построение динамических характеристик При больших уровнях сигнала рассмотренные выше методы исследования, относящиеся к линейным системам, оказываются неприемлемыми. Это объясняется нелинейными зависимостями между токами и напряжениями, существующими в цепях усилительного элемента при больших сигналах. Для расчета и исследования работы каскада при больших уровнях сигнала применяются: 1) графический метод и 2) приближенный аналитический метод. Графический метод основан на использовании статических характеристик усилительного элемента, представляющих собой экспериментально определенные нелинейные зависимости между токами и напряжениями в его цепях, относящиеся к режиму короткого замыкания (статический режим) и являющиеся типовыми (усредненными) для усилительного элемента данного типа. Построение динамических характеристик позволяет перейти к указанным зависимостям для заданных сопротивлений нагрузки и источников сигнала при определенных питающих напряжениях и способах их подведения (динамический режим работы). Графический метод позволяет наглядно и наиболее точно: а) выбрать исходный режим работы усилительного элемента (исходную рабочую точку); б) определить величины, характеризующие режим работы при наличии сигнала (постоянные и переменные напряжения, токи и мощности в выходной и входной цепях каскада); в) определить величину нелинейных искажений. Недостатками графического метода являются некоторая его громоздкость и затруднительность использования для выявления зависимостей между различными характеризующими динамический режим величинами. Кроме того, графический метод расчета возможен при наличии достаточно полных семейств выходных и входных статических характеристик транзистора. Приближенный аналитический метод основан на идеализации (линеаризации) статических характеристик усилительного элемента и нахождении усредненных значений его параметров, которые в пределах используемого поля характеристик считаются постоянными величинами. Из сказанного следует, что приближенный аналитический метод расчета должен использоваться главным образом для установления общих и принципиальных зависимостей между расчетными величинами, в то время как для конкретных инженерных расчетов в ряде случаев целесообразно применение графического метода.Переходя к рассмотрению работы транзистора при больших уровнях сигнала, следует иметь в виду, что существуют три области поля характеристик транзистора: 1) активная область, определяемая прямым смещением на эмиттер-ном р-п - переходе и обратным смещением на коллекторном р-п -переходе; 2) область отсечки, определяемая обратным смещением на обоих р-п- переходах; 3) область насыщения, определяемая прямым смещением на обоих р-п - переходах. На рис. 1 приведено семейство выходных статических характеристик транзистора для включения ОЭ с указанием перечисленных областей поля характеристик. Рис. 1. Выходные статические характеристики транзистора при включении ОЭ Граница области отсечки 2 определяется начальным неуправляемым током Iкн и практически

Похожие работы