Читать реферат по электротехнике: "20 задач по промышленной электронике" Страница 1

(Назад) (Cкачать работу)

Задача1……………………………………………………………………2

Задача2……………………………………………………………………2

Задача3……………………………………………………………………3

Задача4……………………………………………………………………7

Задача5…………………………………………………………………...11

Задача6…………………………………………………………………...12

Задача7…………………………………………………………………...13

Задача8…………………………………………………………………...14

Задача9…………………………………………………………………...15

Задача10………………………………………………………………….17

Задача11………………………………………………………………….18

Задача12………………………………………………………………….20

Задача 13…………………………………………………………………22

Задача 14…………………………………………………………………23

Задача 15…………………………………………………………………24

Задача 16…………………………………………………………………26

Задача 17…………………………………………………………………28

Задача 18…………………………………………………………………29

Задача 19…………………………………………………………………31

Задача 20…………………………………………………………………32

Список используемых источников информации……………………...34 Шифр 04Задача 1Вариант2

При введении(легировании) в Германий- Сурьмы,а в Кремний- Фосфора возникает электронный тип проводимости,т.к Германий и Кремний элементы 4 группы,а Сурьма и Фосфор 5-ой,следовательно Sb и P являются донорными примесями для Ge и Si. При понижении температуры сопротивление увеличивается,как прямое, так и обратное, а также появляется вероятность механических повреждений кристалла из-за увеличивающейся хрупкости .Так для германиевых диодов допустимый интервал температур окружающей среды лежит в пределах , а для кремниевых в пределах

Шифр 04Задача 2Вариант3

Рисунок 1

1.-дрейф дырки

2.-диффузия электрона в результате дрейфа дыркиПроцесс востановления связей за счёт перемещения электронов от одного атома к другому,удобно представить в виде противоположно направленного движения дырок,которые имеют положительный заряд.Процесс образования в чистом полупроводнике пары электрон в зоне проводимости-дырка в валентной зоне называется генерацией собственных носителей заряда.

Одновременно с генерацией протекает процесс рекомбинации-встречи электронов с дырками,сопровождающийся возвратом электронов из зоны проводимости в валентную зону и исчезновением свободных зарядов.

Шифр 04Задача 3Вариант4

Туннельные диоды выполняются из полупроводников с большим количеством примесей (вырожденные полупроводники). Вольтамперная характеристика p-n перехода, выполненного на основе вырожденных полупроводников, имеет область с отрицательным сопротивлением, на котором при увеличении напряжения протекающий ток уменьшается. Элемент, обладающий отрицательным сопротивлением, не потребляет электрическую энергию, а отдает ее в цепь, т.е. является активным элементом цепи.

Наличие падающего участка вольтмаперной характеристики позволяет применять туннельные диоды в качестве генераторов и усилителей электрических колебаний широкого диапазона частот, включая СВЧ, и в качестве высокоскоростных переключателей.

Туннельные диоды выполняются из вырожденных полупроводников, главным образом из

Похожие работы