Читать реферат по радиоэлектронике: "Фотоэлектромагнитный эффект и его применение в устройствах функциональной электроники" Страница 1

(Назад) (Cкачать работу)

Министерство Образования РФ

Владимирский Государственный Университет

Кафедра конструирования и технологии радиоэлектронных средств

Исследовательская работа

на тему:

Фотоэлектромагнитный эффект и его применение в устройствах функциональной электроники

по дисциплине

Специальные главы физики

Выполнил:

ст. гр. РЭ-101

Солодов Д. В.

Проверил:

Устюжанинов В. Н.

Владимир 2003

Содержание

1. Физическое описание фотоэлектромагнитного эффекта …...……..…3

2. Математическое моделирование фотоэлектромагнитного эффекта…6

3. Оценка перспектив использования фотоэлектромагнитного эффекта в устройствах функциональной электроники………..….……………………..11 1. Физическое описание фотоэлектромагнитного эффекта

Фотоэлектромагнитный эффект, называемый также фотомагнитоэлектрическим,фотогальваномагнитнымэффектомиэффектомКикоина — Носкова открыт в1934 г. Кикоиным и Носковым и объяснен тогда же Френкелем. Около 20 лет спустя выяснилось, что измерение ФМЭ и связанных с ним эффектов является очень удобным методом определения времени жизни и других параметровнеосновныхносителейзарядавполупроводниках. Этипараметрыполупроводниковыхматериалов играют первостепенную роль в полупроводниковой электронике. В России и за рубежом начались широкиеиинтенсивныеисследованияфотомагнитного эффекта и возможностей его использования.Былапостроена подробная теорияэффекта,измерен эффект в германии, кремнии, антимониде индия и многих других материалах, разработана методика определения рекомбинационных постоянных, на основе фотомагнитного эффектасозданыприемникиинфракрасногоизлучения и магнитометры.

Если полупроводник освещается излучением с энергией фотона, превышающей ширину запрещенной зоны, то под действием излучения электроны переходят из валентной зоны в зону проводимости, т. е. генерируются электроннодырочные пары. Генерация пар свободных носителей заряда путем внешнего воздействия на полупроводник называется биполярным возбуждением. При меньшей энергии фотона может наблюдаться генерация носителей одного знака как основных, так и неосновных, с примесных центров (монополярное возбуждение). Генерируемые светом избыточные носители вместе с равновесными участвуют в электропроводности, могут диффундировать от одной точки образца к другой. Встречаясь друг с другом или с примесными центрами, избыточные носители могут уничтожаться, рекомбинировать. Поведение избыточных носителей описывается такими параметрами, как время жизни, диффузионная длина, скорость поверхностной рекомбинации и т. д. Эти параметры существенным образом определяют работу таких широко распространенных полупроводниковых приборов, как транзистор, диод, фотоэлемент и др. При этом оказывается, что действие этих приборов обусловлено избыточными неосновными носителями заряда, поэтому измерение параметров неосновных носителей заряда является необходимым этапом в исследовании материалов, предназначенных для изготовления приборов, а также в контроле качества этих материалов в процессе производства. Решить эту важную задачу помогает

Похожие работы