Читать курсовая по информатике, вычислительной технике, телекоммуникациям: "Малошумящий интегральный усилитель" Страница 1

(Назад) (Cкачать работу)

Пояснительная записка к курсовому проекту

по дисциплине «Интегральные устройства радиоэлектроники»

Малошумящий интегральный усилитель

Исходные данные источника сигнала:

Содержание

Введение

. Анализ технического задания

. Проектирование малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки

.1 Определение толщины обедненной области

.2 Определение значения порогового напряжения перекрытия канала

.3 Определение геометрических размеров полевого транзистора Шоттки

. Функциональное проектирование усилителя

.1 Получение схемы электрической принципиальной

.2 Исследование влияния сопротивления нагрузки на коэффициент шума и другие характеристики ПТШ

. Разработка конструкции и топологии кристалла

.1 Расчет геометрических размеров конденсаторов

.2 Расчет геометрических размеров резисторов

.3 Разработка топологии кристалла

. Разработка технологии изготовления кристалла

.1 Технологическая очистка поверхности кристалла

.2 Формирование резисторов и транзисторов в n и n+ слоях

.3 Создание резисторов и нижних обкладок конденсатора

.4 Создание слоя диэлектрика Та2O5 в конденсаторах

.5 Напыление SiO2

.6 Создание верхних обкладок конденсаторов

.7 Создание окон для затворов и омических контактов

.8 Создание затворов

.9 Создание омических контактов

.10 Создание проводящих дорожек и контактных площадок

.11 Соединение стоков

.12 Создание защитного слоя диэлектрика

Заключение

Литература

Введение

малошумящий интегральный усилитель транзистор

Цель данного курсового проекта - приобретение навыков в проектировании ИМС на примере малошумящего интегрального усилителя.

Проектирование полупроводниковых интегральных микросхем (ИМС) является сложным и многоэтапным процессом. Проектирование включает в себя синтез и анализ схемы, оценку экономической обоснованности степени интеграции, расчет элементов, разработку топологии, выбор оптимального технологического процесса, расчет технико-экономических показателей производства. Методы проектирования полупроводниковых ИМС тесно связаны с технологией их изготовления. Совершенствование технологических процессов позволяет повысить степень интеграции, что неизбежно приводит к изменению методов проектирования.

Процесс проектирования полупроводниковых ИМС включает следующие основные этапы:

) Составление технических требований

) Выбор физической структуры

) Разработка принципиальной электрической схемы

) Разработка конструкции и топологии

) Разработка технологического процесса изготовления

) Оформление документации 1. Анализ технического задания В результате выполнения курсового проекта должны быть разработаны конструкция, топология и технологический процесс изготовления бескорпусной интегральной микросхемы на арсениде галлия. ИМС представляет собой малошумящий

Похожие работы