Читать контрольная по информатике, вычислительной технике, телекоммуникациям: "Малошумящий интегральный усилитель" Страница 1

(Назад) (Cкачать работу)

Министерство образования Российской Федерации

ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ

УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)

Кафедра КУДРМалошумящий интегральный усилитель

Индивидуальное задание по дисциплине

"Проектирование микроэлектронных узлов"Выполнили: студенты гр. з30р

Е.П. Пронина

Принял: доцент кафедры КУДР

М.Н. Романовский

Задание малошумящий интегральный усилитель

1 Исходные данные источника сигнала:

.1 Выходное сопротивление 50 Ом

.2 Амплитуда 2 мкВ

Исходные данные усилителя:

.1 Коэффициент усиления > 40 дБ

.2 Полоса рабочих частот 2-3 ГГц

.3 Сопротивление нагрузки 100 Ом

.4 Питание однополярное +10 В

Условия эксплуатации:

.1 Температура среды 27 ºС

.2 Влажность относительная 96 % при 27 ºС

Особые требования:

.1 Реализовать усилитель в бескорпусном однокристальном исполнении

.2 В качестве активных элементов использовать полевые транзисторы с затвором Шоттки (ПТШ) шириной не более 250 мкм

.3 Обеспечить минимизацию дифференциального коэффициента шума в полосе рабочих частот

.4 Минимальный топологический размер (проектная норма) - 0.2 мкм

Индивидуальное задание:

.1 Исследовать влияние сопротивления затвор-исток на коэффициент шума и другие характеристики ПТШ

.2 Разработать технологию изготовления кристалла

Содержание отчета: титульный лист, задание, введение, проектирование малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки, функциональное проектирование усилителя, разработка конструкции и топологии кристалла, разработка технологии изготовления кристалла, заключение, список литературы, приложения (при необходимости)

Конструкторская и технологическая документация:

.1 Схема электрическая принципиальная

.2 Топологические сборочный и послойный чертежи

.3 Схема технологического процесса с профилями создаваемых структур

СодержаниеВведение

1. Анализ технического задания

2. Проектирование малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки

2.1 Определение толщины обедненной области

2.2 Определение значения порогового напряжения перекрытия канала

3. Функциональное проектирование усилителя

3.1 Получение схемы электрической принципиальной

3.2 Исследование влияния входного сопротивления на коэффициент шума и другие характеристики ПТШ

4. Разработка конструкции и топологии кристалла

4.1 Расчет геометрических размеров пассивных элементов

4.1.1 Расчет геометрических размеров конденсаторов

4.1.2 Расчет геометрических размеров резисторов

4.2 Разработка топологии кристалла

5. Разработка технологии изготовления кристалла

Заключение

Список используемой литературы

Введение Проектирование полупроводниковых интегральных микросхем (ИМС) является сложным и многоэтапным процессом. Проектирование включает в себя синтез и анализ схемы, оценку экономической обоснованности степени интеграции, расчет элементов, разработку топологии, выбор оптимального технологического процесса, расчет технико-экономических показателей производства. Методы проектирования полупроводниковых ИМС тесно связаны с технологией их изготовления. Совершенствование технологических процессов позволяет

Похожие работы