- 1
- 2
- 3
- . . .
- последняя »
Лабораторная работа
Исследование биполярного транзистора Цель работы
1. Исследование биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.
2. Исследование биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой.
Краткие теоретические сведения
Транзистор - это полупроводниковый элемент, имеющий в своём составе как минимум два p-n перехода (p-n-p или n-p-n) и три электрических вывода. Транзисторы бывают биполярными и полевыми. Биполярным транзистором называют трёхэлектродный полупроводниковый прибор с двумя близкорасположенными электронно-дырочными переходами. Они служат для усиления, генерирования, преобразования и коммутации сигналов и т.д.Ток в биполярном транзисторе определяется движением носителей зарядов двух знаков - отрицательных (электронов) и положительных (дырок). Существует три схемы включения биполярных транзисторов: 1)Схема с общим эмиттером; 2)Схема с общей базов; 3)Схема с общим коллектором. При этом цепи рассматривают только относительно переменного тока. Принцип действия биполярного транзистора любой структуры основан на создании транзисторного (проходящего) потока носителей заряда из эмиттера коллектор через базу и управления этим потоком посредством тока базы. Основные свойства биполярного транзистора определяются процессами в его базе.
Биполярные транзисторы являются ассиметричными приборами, что обеспечивает быстрейшее протекание переходных процессов при переключениях:
1.Эмиттерный электронно-дырочный переход между базой и эмиттером ₁-p по площади меньше коллекторного .
.Знак плюс означает, что концентрация примесей в эмиттере в стони раз превышает концентрацию примесей в базе (р).
.Концентрация примесей в коллекторе чуть меньше, чем в эмиттере.
С током эмиттера ток коллектора связан соотношением:
Дифференциальный коэффициент передачи тока эмиттера α, т.е. коэффициент переноса тока из эмиттерной цепи в коллекторную составляет α=0,95 и зависит от частоты сигнала.
Каждая схема описывается тремя семействами характеристик:
· Входные характеристики:
· Выходные характеристики:
· Проходные характеристики:
Порядок выполнения1. Исследование биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.
Собрать схему согласно рис. 1.
Снятие семейства входных и проходных характеристик транзистора.
Для этого установить с помощью регулятора напряжения источника напряжение между коллектором и эмиттером , изменяя ток базы с помощью регулятора источника напряжения зафиксировать значения напряжения между базой и эмиттером и тока коллектора . Опыт повторить при В и В. Во время опыта всякий раз поддерживать неизменным. Таблица 1
I б, мкА | Uкэ=0 В | Uкэ=3 В | Uкэ=6 В | |||
Uбэ, мВ | Iк, мА | Uбэ, мВ | Iк, мА | Uбэ, мВ | Iк, мА | |
0 | 0,02 | 0 | 0,058 | 0,06 | 0,059 | 0,06 |
0,025 | 0,095 | 0,09 | 0,145 | 1,41 | 0,146 | 1,44 |
0,05 | 0,119 | 0,19 | 0,171 | 3,15 | 0,173 | 3,38 |
0,075 | 0,134 | 0,28 | 0,19 | 5,17 | 0,19 |
- 1
- 2
- 3
- . . .
- последняя »
Похожие работы
Тема: Исследование биполярного транзистора 2 |
Предмет/Тип: Физика (Практическое задание) |
Тема: Исследование биполярного транзистора |
Предмет/Тип: Физика (Практическое задание) |
Тема: Исследование биполярного транзистора |
Предмет/Тип: Информатика, ВТ, телекоммуникации (Практическое задание) |
Тема: Исследование биполярного транзистора |
Предмет/Тип: Информатика, ВТ, телекоммуникации (Практическое задание) |
Тема: Исследование режимов биполярного транзистора |
Предмет/Тип: Информатика, ВТ, телекоммуникации (Практическое задание) |
Интересная статья: Основы написания курсовой работы