Читать курсовая по физике: "Расчет электронно-дырочного перехода" Страница 1


назад (Назад)скачать (Cкачать работу)

Функция "чтения" служит для ознакомления с работой. Разметка, таблицы и картинки документа могут отображаться неверно или не в полном объёме!

Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Южно-Уральский государственный университет»

(Национальный исследовательский университет)

Факультет «Компьютерных технологий, управления и радиоэлектроники»

Кафедра «Конструирование и производство радиоаппаратуры» ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА К КУРСОВОЙ РАБОТЕ

по дисциплине «Физика твердого тела»

Расчёт электронно-дырочного перехода Руководитель В.А. Бухарин

Автор проекта студент группы КТУР-281

М.В. Колыхматов Челябинск 2016

Исходные данные

Электронно-дырочный переход формируется диффузией фосфора в кремниевую подложку p-типа с концентрацией исходной примеси Nисх. Поверхностные концентрации примеси фосфора N0Д. Глубина залегания p-n-перехода X. Определить вольтамперную характеристику, барьерную и диффузионную ёмкости, пробивное напряжение электронно-дырочного перехода. Таблица 1

Исходные данные p-n перехода

№ вар. Nисх, N0Д,

X,

мкм

6

2

Содержание пояснительной записки:

1) Аннотация.

) Оглавление.

) Анализ технического задания.

) Введение.

) Описание технологии изготовления электронно-дырочного перехода

) Расчётная часть.

) Конструкция диода современной твердотельной САПР

) Классификация разработанного электронно-дырочного перехода по граничной частоте и рассеиваемой мощности.

) Основные особенности использования диодных структур в интегральных схемах.

) Заключение.

) Список литературы. Календарный план

электронный дырочный переход диодный

Наименованиеразделов курсовойработы

Сроквыполненияразделов работы

Отметкаруководителяо выполнении

Выдачазадания ккурсовой работе

03.02.2016

Изучениелитературыпо теме электронно-дырочногоперехода

24.02.2016

Расчётвольтампернойхарактеристики,барьерной идиффузионнойёмкости, пробивногонапряженияэлектронно-дырочногоперехода вчерновом виде

24.03.2016

Расчетвольтампернойхарактеристики,барьерной идиффузионнойёмкости, пробивногонапряженияэлектронно-дырочногоперехода вчистовом виде

21.04.2016

Оформлениеработы

19.05.2016

АННОТАЦИЯ Колыхматов М. В. Расчёт электронно-дырочного перехода. - Челябинск: ЮУрГУ, КТУР, 2016, с. 32, 19 илл., Библиография литературы - 11 наименований, приложение -1.

В данной работе ставилась задача изучить литературу по теме электронно-дырочного перехода, определить вольтамперную характеристику, барьерную и диффузионную ёмкости, пробивное напряжение, граничную частоту, максимальную мощность рассеивания электронно-дырочного перехода.

В работе были рассчитаны характеристики полупроводникового диода, изготовленного по диффузионной технологии. Рассмотрены технологии изготовления, принцип действия, физические процессы в полупроводниковых диодах. Изучено применение диодных структур в интегральных схемах. Дано наглядное изображение полупроводникового диода. ОГЛАВЛЕНИЕ ЗАДАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

. АНАЛИЗ ТЕХНИЧЕСКОГО ЗАДАНИЯ



Интересная статья: Основы написания курсовой работы