- 1
- 2
- 3
- . . .
- последняя »
Министерство образования Республики Беларусь
Учреждение образования «Белорусский государственный университет
информатики и радиоэлектроники»
Факультет радиотехники и электроники
Кафедра микро- и наноэлектроники Дисциплина: Наноэлектроника
Пояснительная записка
к курсовой работе №10 на тему
Метод молекулярно-лучевой эпитаксии для получения наноразмерных структур БГУИР Кр 1-41 01 04 010 Пз Выполнил Николаенко С.А.,
студент гр.143301
Проверил Волчёк С.А. доц.,
канд.физ-мат.наук Минск 2015
Введение
лучевой эпитаксия наноструктура пленка
Данная работа посвящена методу молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и тому, как с помощью него можно получать различные наноструктуры.
В истории часто наступает такой момент, когда воплощение идеи создания прибора на полупроводниках ограничивается предельными возможностями технологий. Такой момент наступил и тогда, когда размерность создаваемых структур достигла сотен ангстрем. Реализация структур таких масштабов с помощью жидкофазной эпитаксии или газотранспортными методами оказалась весьма затруднительной. Тут и пришёл на помощь метод МЛЭ. По сути, это значительно улучшенный метод вакуумного испарения. Обычный метод вакуумного испарения порой применяется для создания металлических плёнок. Но с помощью МЛЭ удаётся осуществлять гетероэпитаксию разнородных материалов, выращивая, например, соединения АIIIBV на кремниевых или диэлектрических подложках, что чрезвычайно важно для монолитной интеграции оптоэлектронных и интегрально-оптических систем на арсениде галлия с вычислительными модулями или другими системами обработки информации на кремнии. Таким образом, можно получать многослойные и периодические структуры (типа квантовых сверхрешёток) с заданными параметрами, что даёт фантастические возможности управления энергетическим спектром носителей заряда.
1. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии .1 Основы метода и оборудование для его осуществления Как было уже сказано, МЛЭ является улучшенной версией вакуумного напыления и получила широкое распространение в начале 70-х, когда появилось промышленное вакуумное оборудование. Степень усложнения определяется только целями, поставленными в конкретном исследовании. Рост плёнок при МЛЭ определяется в основном кинетикой взаимодействия пучков с поверхностью кристалла, в отличие от других методов, таких как жидкостная эпитаксия или химическое осаждение, которые происходят в условиях близких к равновесным.
Рабочий объём (РО) установки для проведения МЛЭ (рисунок 1.1[2]) делается из нержавеющей стали. Для создания сверхвысокого вакуума (P=10-10Торр) РО обезгаживается многочасовым прогревом до температур около 300 - 400 оС. Для прогрева стенки РО окружены резистивными нагревателями, покрытыми сверху асбестовым теплоизолятором и алюминиевыми защитными кожухами.
Рисунок 1.1 - Схема установки для проведения молекулярно-лучевой эпитаксии
Образующиеся за счёт испарения особо чистых исходных веществ в эффузионных ячейках (рисунок 1.1) в условиях сверхвысокого вакуума пучки атомов и (или) молекул сходятся на поверхности чистой и точно ориентированной вращающейся подложки. Вращение необходимо для однородности роста слоёв. Иногда применяются источники с
- 1
- 2
- 3
- . . .
- последняя »
Похожие работы
Тема: Типы организационных структур управления Основные принципы построения организационных структур |
Предмет/Тип: Менеджмент (Реферат) |
Тема: Деятельность НБ КР |
Предмет/Тип: Банковское дело (Реферат) |
Тема: Субъект преступления в КР |
Предмет/Тип: Уголовное право (Курсовая работа (п)) |
Тема: Задание на кр 1 |
Предмет/Тип: Другое (Реферат) |
Тема: Министерство транспорта и коммуникаций КР |
Предмет/Тип: География, экономическая география (Реферат) |
Интересная статья: Быстрое написание курсовой работы